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1. (WO2010147588) MEMCAPACITOR
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2010/147588    International Application No.:    PCT/US2009/047791
Publication Date: 23.12.2010 International Filing Date: 18.06.2009
H01G 5/01 (2006.01), H01G 5/00 (2006.01)
Applicants: HEWLETT-PACKARD DEVELOPMENT COMPANY, L.P. [US/US]; 11445 Compaq Center Drive W. Usa Houston, TX 77070 (US) (For All Designated States Except US).
BRATKOVSKI, Alexandre, M. [US/US]; (US) (For US Only).
WILLIAMS, R., Stanley [US/US]; (US) (For US Only)
Inventors: BRATKOVSKI, Alexandre, M.; (US).
WILLIAMS, R., Stanley; (US)
Agent: COLLINS, David, W.; Hewlett-packard Company Intellectual Property Administration Mail Stop 35, P.o. Box 272400 Fort Collins, CO 80527-2400 (US)
Priority Data:
Abstract: front page image
(EN)A memcapacitor device (100) includes a first electrode (104) and a second electrode (106) and a memcapacitive matrix (102) interposed between the first electrode (104) and the second electrode (106). Mobile dopants (111) are contained within the memcapacitive matrix (102) and are repositioned within the memcapacitive matrix (102) by the application of a programming voltage (126) across the first electrode (104) and second electrode (106) to alter the capacitance of the memcapacitor (100). A method for utilizing a memcapacitive device (100) includes applying a programming voltage (126) across a memcapacitive matrix (102) such that mobile ions (111) contained within a memcapacitive matrix (102) are redistributed and alter a capacitance of the memcapacitive device (100), then removing the programming voltage (126) and applying a reading voltage to sense the capacitance of the memcapacitive device (100).
(FR)L'invention concerne un dispositif de condensateur mémoire (100) comprenant une première électrode (104) et une seconde électrode (106), et une matrice de condensateur mémoire (102) interposée entre la première électrode (104) et la seconde électrode (106). Des dopants mobiles (111) sont contenus à l'intérieur de la matrice de condensateur mémoire (102) et sont repositionnés à l'intérieur de ladite matrice de condensateur mémoire (102) par application d'une tension de programmation (126) sur la première (104) et la seconde électrode (106) afin de modifier la capacité du condensateur mémoire (100). Un procédé d'utilisation d'un dispositif de condensateur mémoire (100) consiste à : appliquer une tension de programmation (126) sur une matrice de condensateur mémoire (102) de telle sorte que des ions mobiles (111) contenus à l'intérieur de la matrice de condensateur mémoire (102) sont redistribués et modifient la capacité du dispositif de condensateur mémoire (100), puis supprimer la tension de programmation (126) et appliquer une tension de lecture pour détecter la capacité du dispositif de condensateur mémoire (100).
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)