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Pub. No.:    WO/2010/147155    International Application No.:    PCT/JP2010/060223
Publication Date: 23.12.2010 International Filing Date: 16.06.2010
C08G 16/02 (2006.01), G03F 7/11 (2006.01), G03F 7/26 (2006.01)
Applicants: NISSAN CHEMICAL INDUSTRIES, LTD. [JP/JP]; 7-1, Kanda-Nishiki-cho 3-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1010054 (JP) (For All Designated States Except US).
SAITO, Daigo [JP/JP]; (JP) (For US Only).
OKUYAMA, Hiroaki [JP/JP]; (JP) (For US Only).
MUSASHI, Hideki [JP/JP]; (JP) (For US Only).
SHINJO, Tetsuya [JP/JP]; (JP) (For US Only).
HASHIMOTO, Keisuke [JP/JP]; (JP) (For US Only)
Inventors: SAITO, Daigo; (JP).
OKUYAMA, Hiroaki; (JP).
MUSASHI, Hideki; (JP).
SHINJO, Tetsuya; (JP).
HASHIMOTO, Keisuke; (JP)
Agent: HANABUSA, Tsuneo; c/o Hanabusa Patent Office, Shin-Ochanomizu Urban Trinity, 2, Kandasurugadai 3-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1010062 (JP)
Priority Data:
2009-146289 19.06.2009 JP
(JA) カルバゾールノボラック樹脂
Abstract: front page image
(EN)Provided are a resist underlayer film having heat resistance for use in a lithographic process for semiconductor device production and a high-refractive-index film having transparency for use in electronic devices. Also provided is a polymer containing a unit structure represented by formula (1), wherein R1, R2, R3, and R5 each represents a hydrogen atom and R4 represents phenyl or naphthyl. Furthermore provided is a composition for resist underlayer film formation which contains the polymer; the resist underlayer film is formed therefrom. Furthermore provided is a composition for high-refractive-index film formation which contains the polymer; the high-refractive-index film is formed therefrom.
(FR)L'invention porte sur un film de sous-couche de réserve ayant une résistance à la chaleur destiné à être utilisé dans un procédé lithographique pour la production d'un dispositif à semi-conducteur et sur un film d'indice de réfraction élevé ayant une transparence destiné à être utilisé dans des dispositifs électroniques. L'invention porte également sur un polymère contenant une structure de motif représentée par la formule (1), dans laquelle R1, R2, R3, et R5 représentent chacun un atome d'hydrogène et R4 représente phényle ou naphtyle. L'invention porte en outre sur une composition pour la formation d'un film de sous-couche de réserve qui contient le polymère ; le film de sous-couche de réserve est formé à partir de celle-ci. En outre, l'invention porte sur une composition pour la formation d'un film d'indice de réfraction élevé qui contient le polymère ; et le film d'indice de réfraction élevé est formé à partir de celle-ci.
(JA)【課題】半導体装置製造のリソグラフィープロセスに用いるための耐熱性を備えたレジスト下層膜、並びに電子デバイスに用いるの透明性を備えた高屈折率膜を提供する。 【解決手段】下記式(1): 式(1)中、R1、R2、R3、及びR5 はそれぞれ水素原子を表し、R4 はフェニル基又はナフチル基を表す単位構造を含むポリマー。 上記ポリマーを含むレジスト下層膜形成組成物及びそれから形成されるレジスト下層膜。 上記ポリマーを含む高屈折率膜形成組成物及びそれから形成される高屈折率膜。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)