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Pub. No.:    WO/2010/147115    International Application No.:    PCT/JP2010/060120
Publication Date: 23.12.2010 International Filing Date: 15.06.2010
H01L 31/10 (2006.01), G02F 1/133 (2006.01), G02F 1/1362 (2006.01), G09F 9/30 (2006.01)
Applicants: SHARP KABUSHIKI KAISHA [JP/JP]; 22-22, Nagaike-cho, Abeno-ku, Osaka-shi, Osaka 5458522 (JP) (For All Designated States Except US).
TANAKA Kohei; (For US Only).
BROWN Christopher; (For US Only)
Inventors: TANAKA Kohei; .
BROWN Christopher;
Agent: KAWAKAMI Keiko; Intelix International, Aqua Dojima West, 4-16, Dojimahama 1-chome, Kita-ku, Osaka-shi, Osaka 5300004 (JP)
Priority Data:
2009-143298 16.06.2009 JP
(JA) 光センサおよび表示装置
Abstract: front page image
(EN)Provided are an optical sensor having a wide dynamic range and a reduced temperature dependency, and a display device using the optical sensor. The optical sensor is comprised of a storage node (INT), a reset signal wire (RST), a readout signal wire (RWS), a photodiode (D1)(photodetection element), a photodiode (D2) having a light shielding layer (reference element), a thin-film transistor (M1) which outputs a potential of the storage node (INT) in accordance with the readout signal during a sensing period (first switching element), and a thin-film transistor (M2) which is provided between the storage node (INT) and the photodiode (D2) and which electrically separates the storage node (INT) from the photodiode (D2) if the potential of the storage node (INT) is higher than the potential of the opposite side of the photodiode (D2) from the storage node (INT) when the readout signal is supplied (second switching element).
(FR)L'invention concerne un capteur optique ayant une plage dynamique étendue, et une dépendance à la température réduite, et un dispositif d'affichage utilisant le capteur optique. Le capteur optique est composé d'un nœud de stockage (INT), d'un fil de transmission de signal de réinitialisation (RST), d'un fil de transmission de signal de lecture (RWS), d'une photodiode (D1)(élément de photodétection), d'une photodiode (D2) comportant une couche de protection contre la lumière (élément de référence), d'un transistor à film mince (M1) émettant un potentiel du nœud de stockage (INT) selon le signal de lecture pendant une période de détection (premier élément de commutation), et d'un transistor à film mince (M2) disposé entre le nœud de stockage (INT) et la photodiode (D2) et séparant électriquement le nœud de stockage (INT) de la photodiode (D2), si le potentiel du nœud de stockage (INT) est supérieur au potentiel du côté opposé de la photodiode (D2) du nœud de stockage (INT) quand le signal de lecture est fourni (second élément de commutation).
(JA) ダイナミックレンジが広く且つ温度依存性が低減された光センサ、および、この光センサを用いた表示装置を提供する。光センサを、蓄積ノード(INT)と、リセット信号配線(RST)と、読み出し信号配線(RWS)と、フォトダイオード(D1)(光検出用素子)と、遮光層を有するフォトダイオード(D2)(参照用素子)と、センシング期間に、蓄積ノード(INT)の電位を、読み出し信号に応じて出力する薄膜トランジスタ(M1)(第1のスイッチング素子)と、蓄積ノード(INT)とフォトダイオード(D2)との間に設けられ、読み出し信号供給時に蓄積ノード(INT)の電位がフォトダイオード(D2)の蓄積ノード(INT)とは反対側の電位よりも高くなった場合に、蓄積ノード(INT)をフォトダイオード(D2)に対して電気的に分離する薄膜トランジスタ(M2)(第2のスイッチング素子)と、を備えた構成とする。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)