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1. (WO2010146723) III NITRIDE SEMICONDUCTOR LASER ELEMENT AND METHOD FOR MANUFACTURING III NITRIDE SEMICONDUCTOR LASER ELEMENT
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2010/146723    International Application No.:    PCT/JP2009/062895
Publication Date: 23.12.2010 International Filing Date: 16.07.2009
IPC:
H01S 5/323 (2006.01), H01S 5/343 (2006.01)
Applicants: SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, LTD. [JP/JP]; 5-33, Kitahama 4-chome, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5410041 (JP) (For All Designated States Except US).
YOSHIZUMI Yusuke [JP/JP]; (JP) (For US Only).
ENYA Yohei [JP/JP]; (JP) (For US Only).
KYONO Takashi [JP/JP]; (JP) (For US Only).
ADACHI Masahiro [JP/JP]; (JP) (For US Only).
AKITA Katsushi [JP/JP]; (JP) (For US Only).
UENO Masaki [JP/JP]; (JP) (For US Only).
SUMITOMO Takamichi [JP/JP]; (JP) (For US Only).
TOKUYAMA Shinji [JP/JP]; (JP) (For US Only).
KATAYAMA Koji [JP/JP]; (JP) (For US Only).
NAKAMURA Takao [JP/JP]; (JP) (For US Only).
IKEGAMI Takatoshi [JP/JP]; (JP) (For US Only)
Inventors: YOSHIZUMI Yusuke; (JP).
ENYA Yohei; (JP).
KYONO Takashi; (JP).
ADACHI Masahiro; (JP).
AKITA Katsushi; (JP).
UENO Masaki; (JP).
SUMITOMO Takamichi; (JP).
TOKUYAMA Shinji; (JP).
KATAYAMA Koji; (JP).
NAKAMURA Takao; (JP).
IKEGAMI Takatoshi; (JP)
Agent: HASEGAWA Yoshiki; SOEI PATENT AND LAW FIRM Marunouchi MY PLAZA (Meiji Yasuda Life Bldg.) 9th fl. 1-1, Marunouchi 2-chome Chiyoda-ku, Tokyo 1000005 (JP)
Priority Data:
2009-144442 17.06.2009 JP
Title (EN) III NITRIDE SEMICONDUCTOR LASER ELEMENT AND METHOD FOR MANUFACTURING III NITRIDE SEMICONDUCTOR LASER ELEMENT
(FR) ÉLÉMENT LASER SEMICONDUCTEUR AU NITRURE III ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN ÉLÉMENT LASER SEMICONDUCTEUR AU NITRURE III
(JA) III族窒化物半導体レーザ素子、及びIII族窒化物半導体レーザ素子を作製する方法
Abstract: front page image
(EN)Provided is a III nitride semiconductor laser element having a laser oscillator which is capable of having a low threshold current on a semipolar surface of a supporting base body wherein the c-axis of a hexagonal III nitride is tilted in the direction of the m-axis.  First and second cut surfaces (27, 29) which form the laser oscillator intersect with an m-n surface.  The III nitride semiconductor laser element (11) has a laser waveguide extending in a direction of a cross line between the m-n surface and the semipolar surface (17a).  Therefore, band-to-band transition light emission which makes it possible to have a low threshold current can be used.  In a laser structural body (13), a first surface (13a) is a surface on the opposite side to the second surface (13b).  The first and the second cut surfaces (27, 29) extend from an edge (13c) of the first surface (13a) to an edge (13d) of the second surface (13b).  The cut surfaces (27, 29) are not formed by dry etching, and are different from conventional cleaved surfaces of the c-plane, m-plane, a-plane and the like.
(FR)L'invention concerne un élément laser semiconducteur au nitrure III possédant un oscillateur laser qui est capable d'avoir un faible courant de seuil sur une surface semi-polaire d'un corps de base porteur, l'axe c d'un nitrure III hexagonal étant incliné dans la direction de l'axe m. Des première et seconde surfaces de coupe (27, 29) qui forment l'oscillateur laser coupent une surface m-n. L'élément laser semiconducteur au nitrure III (11) possède un guide d'ondes laser s'étendant dans une direction d'une droite de croisement entre la surface m-n et la surface semi-polaire (17a). De ce fait, on obtient une émission lumineuse de transition entre bandes qui permet à un faible courant de seuil d'être utilisé. Dans un corps structural laser (13), une première surface (13a) est une surface sur le côté opposé à la seconde surface (13b). Les première et seconde surfaces de coupe (27, 29) s'étendent depuis un bord (13c) de la première surface (13a) et un bord (13d) de la seconde surface (13b). Les surfaces de coupe (27, 29) ne sont pas formées par gravure sèche et sont différentes des surfaces clivées conventionnelles dans le plan c, m, a et similaire.
(JA)六方晶系III族窒化物のc軸がm軸の方向に傾斜した支持基体の半極性面上において、低しきい値電流を可能にするレーザ共振器を有するIII族窒化物半導体レーザ素子を提供する。レーザ共振器となる第1及び第2の割断面27、29が、m-n面に交差する。III族窒化物半導体レーザ素子11は、m-n面と半極性面17aとの交差線の方向に延在するレーザ導波路を有する。これ故に、低しきい値電流を可能にするバンド遷移の発光を利用できる。レーザ構造体13では、第1の面13aは第2の面13bの反対側の面である。第1及び第2の割断面27、29は、第1の面13aのエッジ13cから第2の面13bのエッジ13dまで延在する。割断面27、29は、ドライエッチングにより形成されず、c面、m面又はa面等のこれまでのへき開面とは異なる。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)