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1. (WO2010146053) THERMOLABILE PRECURSOR COMPOUNDS FOR IMPROVING THE INTERPARTICULATE CONTACT POINTS AND FOR FILLING THE INTERSPACES IN SEMICONDUCTIVE METAL OXIDE PARTICLE LAYERS
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2010/146053    International Application No.:    PCT/EP2010/058391
Publication Date: 23.12.2010 International Filing Date: 15.06.2010
Chapter 2 Demand Filed:    04.04.2011    
IPC:
H01L 21/02 (2006.01), H01L 21/368 (2006.01)
Applicants: BASF SE [DE/DE]; 67056 Ludwigshafen (DE) (For All Designated States Except US).
FLEISCHHAKER, Friederike [DE/DE]; (DE) (For US Only).
DOMKE, Imme [DE/DE]; (DE) (For US Only).
KARPOV, Andrey [RU/DE]; (DE) (For US Only).
KASTLER, Marcel [DE/CH]; (CH) (For US Only).
WLOKA, Veronika [DE/DE]; (DE) (For US Only).
WEBER, Lothar [DE/DE]; (DE) (For US Only)
Inventors: FLEISCHHAKER, Friederike; (DE).
DOMKE, Imme; (DE).
KARPOV, Andrey; (DE).
KASTLER, Marcel; (CH).
WLOKA, Veronika; (DE).
WEBER, Lothar; (DE)
Agent: FÉAUX DE LACROIX, Stefan; Isenbruck Bösl Hörschler LLP Patentanwälte EASTSITE ONE Seckenheimer Landstraße 4 68163 Mannheim (DE)
Priority Data:
09162783.6 16.06.2009 EP
Title (DE) THERMOLABILE VORLÄUFER-VERBINDUNGEN ZUR VERBESSERUNG DER INTERPARTIKULÄREN KONTAKTSTELLEN UND ZUM AUFFÜLLEN DER ZWISCHENRÄUME IN HALBLEITENDEN METALLOXIDPARTIKELSCHICHTEN
(EN) THERMOLABILE PRECURSOR COMPOUNDS FOR IMPROVING THE INTERPARTICULATE CONTACT POINTS AND FOR FILLING THE INTERSPACES IN SEMICONDUCTIVE METAL OXIDE PARTICLE LAYERS
(FR) COMPOSÉS PRÉCURSEURS THERMOLABILES PERMETTANT D'AMÉLIORER LES POINTS DE CONTACT INTERPARTICULAIRES ET DE REMPLIR LES ESPACES INTERMÉDIAIRES DANS DES COUCHES DE PARTICULES D'OXYDE MÉTALLIQUE SEMI-CONDUCTRICES
Abstract: front page image
(DE)Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung einer Schicht enthaltend wenigstens ein halbleitendes Metalloxid auf einem Substrat, umfassend mindestens die Schritte: (A) Aufbringen einer porösen Schicht aus mindestens einem halbleitenden Metalloxid auf ein Substrat, (B) Behandeln der porösen Schicht aus Schritt (A) mit einer Lösung enthaltend wenigstens eine Vorläuferverbindung des halbleitenden Metalloxids, so dass die Poren der porösen Schicht zumindest teilweise mit dieser Lösung gefüllt werden und (C) thermisches Behandeln der in Schritt (B) erhaltenen Schicht, um die wenigstens eine Vorläuferverbindung des halbleitenden Metalloxids in das halbleitende Metalloxid zu überführen, wobei die mindestens eine Vorläuferverbindung des mindestens einen halbleitenden Metalloxids in Schritt (B) ausgewählt ist aus der Gruppe bestehend aus Carboxylaten von Mono-, Di- oder Polycarbonsäuren mit wenigstens drei Kohlenstoffatomen oder Derivaten von Mono-, Di-oder Polycarbonsäuren, Alkoholaten, Hydroxiden, Semicarbaziden, Carbaminaten, Hydroxamaten, Isocyanaten, Amidinen, Amidrazonen, Harnstoffderivaten, Hydroxylaminen, Oximen, Oximaten, Urethanen, Ammoniak, Aminen, Phosphinen, Ammonium-Verbindungen, Nitraten, Nitriten oder Aziden des entsprechenden Metalls und Mischungen davon.
(EN)The present invention relates to a method for producing a layer containing at least one semiconductive metal oxide on a substrate, comprising at least the following steps: (A) a porous layer comprising at least one semiconductive metal oxide is applied to a substrate, (B) the porous layer from step (A) is treated with a solution containing at least one precursor compound of the semiconductive metal oxide, so that the pores of the porous layer are at least partially filled with this solution, and (C) the layer obtained in step (B) is heat-treated in order to convert at least one precursor compound of the semiconductive metal oxide into the semiconductive metal oxide, wherein the at least one precursor compound of the at least one semiconductive metal oxide is selected in step (B) from the group comprising carboxylates of monocarboxylic acids, dicarboxylic acids or polycarboxylic acids with at least three carbon atoms or derivatives of monocarboxylic acids, dicarboxylic acids or polycarboxylic acids, alcoholates, hydroxides, semicarbazides, carbamates, hydroxamates, isocyanates, amidines, amidrazones, urea derivatives, hydroxylamines, oximes, oximates, urethanes, ammonia, amines, phosphines, ammonium compounds, nitrates, nitrides or azides of the relevant metal and mixtures thereof.
(FR)La présente invention concerne un procédé de fabrication d'une couche contenant au moins un oxyde métallique semi-conducteur sur un substrat, lequel procédé comprend au moins les étapes suivantes : (A) application d'une couche poreuse constituée d'au moins un oxyde métallique semi-conducteur sur un substrat; (B) traitement de la couche poreuse issue de l'étape (A) avec une solution contenant au moins un composé précurseur de l'oxyde métallique semi-conducteur de telle manière que les pores de la couche poreuse soient au moins partiellement remplis de cette solution; (C) traitement thermique de la couche obtenue à l'étape (B) pour transférer le ou les composés précurseurs de l'oxyde métallique semi-conducteur dans l'oxyde métallique semi-conducteur. Le ou les composés précurseurs du ou des oxydes métalliques semi-conducteurs de l'étape (B) sont sélectionnés dans le groupe comprenant les carboxylates de monoacides, diacides ou polyacides carboxyliques contenant au moins trois atomes de carbone ou les dérivés de monoacides, diacides ou polyacides carboxyliques, les alcoolates, les hydroxydes, les semicarbazides, les carbaminates, les hydroxamates, les isocyanates, les amidines, les amidrazones, les dérivés de l'urée, les hydroxylamines, les oximes, les oxymates, les uréthannes, l'ammoniaque, les amines, les phosphines, les composés ammonium, les nitrates, les nitrites ou les azides du métal concerné, et les mélanges de ces éléments.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: German (DE)
Filing Language: German (DE)