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1. (WO2010145893) OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR COMPONENT
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.: WO/2010/145893 International Application No.: PCT/EP2010/056602
Publication Date: 23.12.2010 International Filing Date: 12.05.2010
IPC:
H01L 33/44 (2010.01) ,H01L 33/56 (2010.01)
H ELECTRICITY
01
BASIC ELECTRIC ELEMENTS
L
SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
33
Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
44
characterised by the coatings, e.g. passivation layer or anti-reflective coating
H ELECTRICITY
01
BASIC ELECTRIC ELEMENTS
L
SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
33
Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
48
characterised by the semiconductor body packages
52
Encapsulations
56
Materials, e.g. epoxy or silicone resin
Applicants: KRÄUTER, Gertrud[DE/DE]; DE (UsOnly)
OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH[DE/DE]; Leibnizstraße 4 93055 Regensburg, DE (AllExceptUS)
Inventors: KRÄUTER, Gertrud; DE
Agent: EPPING HERMANN FISCHER PATENTANWALTSGESELLSCHAFT MBH; Ridlerstraße 55 80339 München, DE
Priority Data:
102009025266.517.06.2009DE
Title (EN) OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR COMPONENT
(FR) COMPOSANT SEMI-CONDUCTEUR OPTO-ÉLECTRONIQUE
(DE) OPTOELEKTRONISCHES HALBLEITERBAUTEIL
Abstract:
(EN) In at least one embodiment of the optoelectronic semiconductor component (1), the latter has a housing base (2) and at least one semiconductor chip (3), which is attached to the housing base (2). In operation, the optoelectronic semiconductor chip (3) emits primary radiation, the primary radiation having a proportion of ultraviolet radiation. Furthermore, the semiconductor component (1) comprises a filter means (4), which is equipped to absorb the ultraviolet proportion of the primary radiation, wherein the filter means (14) is at least partly located between the semiconductor chip (3) and the housing base (2) and/or between the semiconductor chip (3) and an optical component (7). The proportion of ultraviolet radiation, in reference to a total optical output of the primary radiation, is between 0.1% and 4.0% inclusive.
(FR) Dans au moins un mode de réalisation du composant semi-conducteur opto-électronique (1) selon l'invention, le composant comporte un corps de base formant boîtier (2) et au moins une puce semi-conductrice opto-électronique (3) qui est montée sur le corps de base formant boîtier (2). Lors de son fonctionnement, la puce semi-conductrice opto-électronique (3) émet un rayonnement primaire comportant une partie de rayonnement ultraviolette. En outre, le composant semi-conducteur (1) comporte un moyen de filtrage (4) conçu pour absorber la partie de rayonnement ultraviolette du rayonnement primaire, le moyen de filtrage (4) étant situé au moins partiellement entre la puce semi-conductrice (3) et le corps de base formant boîtier (2) et/ou entre la puce semi-conductrice (3) et un composant optique (7). La partie de rayonnement ultraviolette présente une puissance comprise entre 0,1 % inclus et 4,0 % inclus, par rapport à la puissance totale du rayonnement primaire.
(DE) In mindestens einer Ausführungsform des optoelektronischen Halbleiterbauteils (1) weist dieses einen Gehäusegrundkörper (2) und wenigstens einen optoelektronischen Halbleiterchip (3) auf, der an dem Gehäusegrundkörper (2) angebracht ist. Im Betrieb emittiert der optoelektronische Halbleiterchip (3) eine Primärstrahlung, wobei die Primärstrahlung einen ultravioletten Strahlungsanteil aufweist. Weiterhin umfasst das Halbleiterbauteil (1) ein Filtermittel (4), das dazu eingerichtet ist, den ultravioletten Strahlungsanteil der Primärstrahlung zu absorbieren, wobei sich das Filtermittel (4) mindestens zum Teil zwischen dem Halbleiterchip (3) und dem Gehäusegrundkörper (2) und/oder zwischen dem Halbleiterchip (3) und einer optischen Komponente (7) befindet. Der ultraviolette Strahlungsanteil beträgt, bezogen auf eine optische Gesamtleistung der Primärstrahlung, zwischen einschließlich 0,1 % und 4,0 %.
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Publication Language: German (DE)
Filing Language: German (DE)