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1. (WO2010144730) METHOD FOR MANUFACTURING MULTI-COMPONENT OXIDE HETEROSTRUCTURES
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2010/144730    International Application No.:    PCT/US2010/038211
Publication Date: 16.12.2010 International Filing Date: 10.06.2010
IPC:
H01L 49/00 (2006.01), C23C 16/40 (2006.01), C23C 16/455 (2006.01), C23C 16/02 (2006.01)
Applicants: NEXGEN SEMI HOLDING, INC. [US/US]; 30251 Golden Lantern, Suite E522 Laguna Niguel, CA 92677 (US) (For All Designated States Except US)
Inventors: BENNAHMIAS, Mark, Joseph; (US).
ZANI, Michael, John; (US).
SCOTT, Jeffrey, Winfield; (US)
Agent: ALTMAN, Daniel, E.; Knobbe, Martens, Olson & Bear, LLP 2040 Main Street, 14th Floor Irvine, CA 92614 (US)
Priority Data:
61/185,957 10.06.2009 US
Title (EN) METHOD FOR MANUFACTURING MULTI-COMPONENT OXIDE HETEROSTRUCTURES
(FR) APPAREILLAGE ET PROCÉDÉ POUR FABRIQUER DES HÉTÉROSTRUCTURES À BASE D'OXYDES MULTICOMPOSANTS
Abstract: front page image
(EN)Certain embodiments disclosed herein relate to the formation of multi-component oxide heterostructures (MCOH) using surface nucleation to pattern the atomic layer deposition (ALD) of perovskite material followed by patterned etch and metallization to produce ultra-high density MCOH nano-electronic devices. Applications include ultra-high density MCOH memory and logic, as well as electronic functionality based on single electrons, for example a novel flash memory cell Floating-Gate (FG) transistor with LaAlO3 as a gate tunneling dielectric. Other types of memoiy devices (DIMMS. DRAM, and DDR) made with patterned ALD Of LaAlO3 as a gate dielectric are also possible.
(FR)L'invention porte sur un appareillage et un procédé pour fabriquer des hétérostructures d'oxydes multicomposants. Certains modes de réalisation concernent la formation d'hétérostructures d'oxydes multicomposants (MCOH) par utilisation d'une nucléation en surface, pour créer des motifs dans un dépôt en couches atomiques (ALD) d'un matériau de type perovskite, l'opération étant suivie d'une gravure à motifs et d'une métallisation pour produire des dispositifs nanoélectroniques MCOH à ultra-haute densité. Les applications comprennent une mémoire et une logique MCOH à ultra-haute densité, ainsi qu'une fonctionnalité électronique se fondant sur les électrons individuels, par exemple un nouveau transistor à portillon flottant (FG) à cellule de mémoire flash, avec du LaAlO3 en tant que diélectrique pour effet tunnel du portillon. D'autres types de dispositifs de mémoire (DIMMS, DRAM, et DDR), obtenus avec l'ALD à motifs de LaAlO3 en tant que diélectrique de portillon, sont également possibles.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)