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1. (WO2010144346) SILICON-BASED OPTICAL MODULATOR WITH IMPROVED EFFICIENCY AND CHIRP CONTROL
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2010/144346    International Application No.:    PCT/US2010/037591
Publication Date: 16.12.2010 International Filing Date: 07.06.2010
IPC:
G02B 6/26 (2006.01), G02F 1/01 (2006.01)
Applicants: LIGHTWIRE, INC. [US/US]; 7540 Windsor Drive Suite 412 Allentown, PA 18195 (US) (For All Designated States Except US).
WEBSTER, Mark [AU/US]; (US) (For US Only).
ROMANO, Russell [US/US]; (US) (For US Only).
SHASTRI, Kalpendu [US/US]; (US) (For US Only)
Inventors: WEBSTER, Mark; (US).
ROMANO, Russell; (US).
SHASTRI, Kalpendu; (US)
Agent: KOBA, Wendy, W.; PO Box 556 Springtown, PA 18081 (US)
Priority Data:
12/781,471 17.05.2010 US
61/186,693 12.06.2009 US
Title (EN) SILICON-BASED OPTICAL MODULATOR WITH IMPROVED EFFICIENCY AND CHIRP CONTROL
(FR) MODULATEUR OPTIQUE AU SILICIUM À EFFICACITÉ ACCRUE ET À COMMANDE DE CHIRP AMÉLIORÉE
Abstract: front page image
(EN)A silicon-based optical modulator exhibiting improved modulation efficiency and control of ''chirp" (i.e., time-varying optical phase) is provided by separately biasing a selected, first region of the modulating device (e.g., the polysilicon region, defined as the common node). In particular, the common node is biased to shift the voltage swing of the silicon-based optical modulator into its accumulation region, which exhibits a larger change in phase as a function of applied voltage (larger OMA) and improved extinction ratio. The response in the accumulation region is also relatively linear, allowing for the chirp to be more easily controlled. The electrical modulation input signal (and its inverse) are applied as separate inputs to the second region (e.g., the SOI region) of each arm of the modulator.
(FR)L'invention concerne un modulateur optique au silicium bénéficiant d'une efficacité de modulation accrue et d'une commande de "chirp" (autrement dit de phase optique variant en fonction du temps) améliorée du fait d'une polarisation séparée d'une première région sélectionnée du dispositif modulant (par ex. la région en polysilicium, définie comme le nœud commun). Plus particulièrement, le nœud commun est polarisé pour décaler l'excursion de tension du modulateur optique au silicium dans sa région d'accumulation, caractérisée par une variation de phase plus importante en fonction de la tension appliquée (amplitude de modulation optique OMA plus importante) et par un taux d'extinction plus élevé. La réponse dans la région d'accumulation est par ailleurs relativement linéaire, ce qui permet une commande plus facile du chirp. Le signal d'entrée de modulation électrique (et son inverse) sont appliqués sous forme d'entrées distinctes à la seconde région (par ex. la région SOI) de chaque bras du modulateur.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)