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1. (WO2010144273) A MASKING APPARATUS FOR AN ION IMPLANTER
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2010/144273    International Application No.:    PCT/US2010/036877
Publication Date: 16.12.2010 International Filing Date: 01.06.2010
IPC:
H01J 37/317 (2006.01), H01J 37/32 (2006.01), H01L 21/266 (2006.01)
Applicants: VARIAN SEMICONDUCTOR EQUIPMENT ASSOCIATES [US/US]; 35 Dory Road Gloucester, MA 01930 (US) (For All Designated States Except US).
CARLSON, Charles [US/US]; (US) (For US Only).
WEAVER, William, T. [US/US]; (US) (For US Only)
Inventors: CARLSON, Charles; (US).
WEAVER, William, T.; (US)
Agent: FABER, Scott, R.; Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. 35 Dory Road Gloucester, MA 01930 (US)
Priority Data:
61/185,028 08.06.2009 US
12/775,728 07.05.2010 US
Title (EN) A MASKING APPARATUS FOR AN ION IMPLANTER
(FR) APPAREIL DE MASQUAGE POUR UN DISPOSITIF D'IMPLANTATION D'IONS
Abstract: front page image
(EN)A masking apparatus includes a mask positioned upstream of a target positioned for treatment with ions. The mask is sized relative to the target to cause a first half of the target to be treated with a selective treatment of ions through the mask and a second half of the target to be treated with a blanket treatment of ions unimpeded by the mask during a first time interval. The masking apparatus also includes a positioning mechanism to change a relative position of the mask and the target so that the second half of the target is treated with the selective treatment of ions and the first half of the target is treated with the blanket implant during a second time interval. An ion implanter having the masking apparatus is also provided.
(FR)L'invention concerne un appareil de masquage comprenant un masque positionné en amont d'une cible positionnée pour un traitement avec des ions. Le masque est dimensionné par rapport à la cible pour amener une première moitié de la cible à être traitée avec un traitement sélectif d'ions à travers le masque et une seconde moitié de la cible à être traitée avec un traitement de couverture d'ions, dégagée par le masque pendant un premier intervalle de temps. L'appareil de masquage comprend également un mécanisme de positionnement pour modifier une position relative du masque et de la cible de sorte que la seconde moitié de la cible est traitée avec le traitement sélectif d'ions et la première moitié de la cible est traitée avec l'implantation de couverture pendant un second intervalle de temps. L'invention concerne également un dispositif d'implantation d'ions ayant l'appareil de masquage.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)