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1. (WO2010143273) SEMICONDUCTOR DEVICE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2010/143273    International Application No.:    PCT/JP2009/060577
Publication Date: 16.12.2010 International Filing Date: 10.06.2009
IPC:
H01L 23/36 (2006.01), H01L 25/07 (2006.01), H01L 25/18 (2006.01)
Applicants: TOYOTA JIDOSHA KABUSHIKI KAISHA [JP/JP]; 1, Toyota-cho, Toyota-shi, Aichi 4718571 (JP) (For All Designated States Except US).
KAKIUCHI Eisaku [JP/JP]; (JP) (For US Only).
TAKETSUNA Yasuji [JP/JP]; (JP) (For US Only).
MORINO Masahiro [JP/JP]; (JP) (For US Only).
TAKANO Yuya [JP/JP]; (JP) (For US Only)
Inventors: KAKIUCHI Eisaku; (JP).
TAKETSUNA Yasuji; (JP).
MORINO Masahiro; (JP).
TAKANO Yuya; (JP)
Agent: COSMOS PATENT OFFICE; Annex 2nd Floor, Nagoya Center Building, 2-22, Nishiki 2-chome, Naka-ku, Nagoya-shi, Aichi 4600003 (JP)
Priority Data:
Title (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 半導体装置
Abstract: front page image
(EN)Disclosed is a semiconductor device that can properly relax a stress produced by a difference in coefficient of linear expansion between an insulating substrate and a cooler and can properly remove heat by cooling of a semiconductor element.  A semiconductor device (1) comprises an insulating substrate (60), a semiconductor element (71) provided on the insulating substrate (60), a cooler (10), and a porous metal plate (50) provided between the insulating substrate (60) and the cooler (10).  Pores (51) in the porous metal plate (50) are open at least to that surface (50c) of the porous metal plate (50) which faces the cooler (10).  The sectional size of the pores decreases gradually from the cooler side toward the insulating substrate side.
(FR)La présente invention a trait à un dispositif à semi-conducteur qui peut correctement relâcher une contrainte produite par une différence de coefficient de dilation linéaire entre un substrat isolant et un refroidisseur et qui peut correctement supprimer la chaleur en refroidissant un élément semi-conducteur. Un dispositif à semi-conducteur (1) comprend un substrat isolant (60), un élément semi-conducteur (71) disposé sur le substrat isolant (60), un refroidisseur (10), et une plaque métallique poreuse (50) disposée entre le substrat isolant (60) et le refroidisseur (10). Des pores (51) dans la plaque métallique poreuse (50) sont ouverts au moins vers la surface (50c) de la plaque métallique poreuse (50) qui fait face au refroidisseur (10). La dimension en coupe des pores diminue graduellement du côté du refroidisseur vers le côté du substrat isolant.
(JA) 絶縁基板と冷却器との線膨張率差によって生じる応力を適切に緩和することができ、且つ、半導体素子の熱を適切に冷却することができる半導体装置を提供する。半導体装置(1)は、絶縁基板(60)、前記絶縁基板(60)上に配置された半導体素子(71)、冷却器(10)、及び、前記絶縁基板(60)と前記冷却器(10)との間に配置されたポーラス金属板(50)を備える。ポーラス金属板(50)の穴(51)は、少なくともポーラス金属板(50)の冷却器側を向く面(50c)に開口する穴であり、冷却器側から絶縁基板側に向かうにしたがって当該穴の断面が縮小する形状をなしている。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)