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1. (WO2010142683) METHOD FOR FORMING THIN SEMICONDUCTOR LAYER SUBSTRATES AND METHOD FOR PRODUCING A SEMICONDUCTOR ELEMENT, IN PARTICULAR A SOLAR CELL COMPRISING, USING SAID TYPE OF SEMICONDUCTOR LAYER SUBSTRATE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2010/142683    International Application No.:    PCT/EP2010/058015
Publication Date: 16.12.2010 International Filing Date: 08.06.2010
IPC:
H01L 31/028 (2006.01), H01L 31/18 (2006.01), H01L 21/3063 (2006.01), C25F 3/12 (2006.01), H01L 31/068 (2006.01), H01L 31/0236 (2006.01)
Applicants: Institut für Solarenergieforschung GmbH [DE/DE]; Am Ohrberg 1 31860 Emmerthal (DE) (For All Designated States Except US).
BRENDEL, Rolf [DE/DE]; (DE) (For US Only).
ERNST, Marco [DE/DE]; (DE) (For US Only).
PLAGWITZ, Heiko [DE/DE]; (DE) (For US Only)
Inventors: BRENDEL, Rolf; (DE).
ERNST, Marco; (DE).
PLAGWITZ, Heiko; (DE)
Agent: Maiwald Patentanwalts GmbH; Dr. Ralph Kühn Elisenhof, Elisenstraße 3 80335 München (DE)
Priority Data:
10 2009 024 613.4 12.06.2009 DE
Title (DE) VERFAHREN ZUM BILDEN VON DÜNNEN HALBLEITERSCHICHTSUBSTRATEN SOWIE VERFAHREN ZUM HERSTELLEN EINES HALBLEITERBAUELEMENTS, INSBESONDERE EINER SOLARZELLE, MIT EINEM SOLCHEN HALBLEITERSCHICHTSUBSTRAT
(EN) METHOD FOR FORMING THIN SEMICONDUCTOR LAYER SUBSTRATES AND METHOD FOR PRODUCING A SEMICONDUCTOR ELEMENT, IN PARTICULAR A SOLAR CELL COMPRISING, USING SAID TYPE OF SEMICONDUCTOR LAYER SUBSTRATE
(FR) PROCÉDÉ POUR FORMER DES SUBSTRATS SEMICONDUCTEURS STRATIFIÉS MINCES ET PROCÉDÉ POUR PRODUIRE UN COMPOSANT SEMICONDUCTEUR, NOTAMMENT UNE CELLULE SOLAIRE, AU MOYEN D'UN TEL SUBSTRAT SEMICONDUCTEUR STRATIFIÉ
Abstract: front page image
(DE)Es wird ein Verfahren zum Bilden von dünnen Halbleiterschichtsubstraten beschrieben, bei dem in einem bereitgestellten Halbleitersubstrat (1) abwechselnd niedrig-poröse Schichten (33, 37) und hoch-poröse Schichten (35, 39) durch elektrochemisches Ätzen ausgebildet werden können. Der derart entstandene Mehrfachschichtenstapel kann anschließend als Gesamtheit weiteren Prozessierungsschritten unterzogen werden. Beispielsweise kann auf der gesamten Oberfläche der niedrig-porösen Schichten (33, 37) und hoch-porösen Schichten (35, 39) eine passivierende Dielektrikumschicht (45) ausgebildet werden. Anschließend können die niedrig-porösen Schichten nacheinander voneinander mechanisch getrennt werden, wobei die dazwischen liegenden hoch-porösen Schichten jeweils als Sollbruchstelle dienen können. Mit wenigen Prozessschritten lassen sich so eine Vielzahl von dünnen Halbleiterschichtsubstraten in Form von niedrig-porösen Schichten (33, 37) einschließlich einer guten Oberflächenpassivierung sowie einer reflexionsmindernden Oberflächentextur bilden. Die derart erzeugten Halbleiterschichtsubstrate können beispielsweise für die Herstellung von Halbleiterbauelementen wie zum Beispiel dünnen Solarzellen verwendet werden.
(EN)The invention relates to a method for forming thin semiconductor layer substrates, wherein low porous layers (33, 37) and highly porous layers (35, 39) are formed in an alternating manner in a semiconductor substrate (1) by electrochemical etching. The thus obtained multi-layer stack can subsequently be subjected, in its totality, to additional treatment steps. For example, a passivation dielectric layer (45) can be formed on the entire surface of the low porous layers (33, 37) and the highly porous layers (35, 39). Subsequently, the low porous layers can be successively separated from each other in a mechanical manner, the highly porous layers arranged therebetween acting as a desired rupture point. It is also possible to form, in a few steps, a plurality of thin semiconductor layer substrates in the form of low porous layers (33, 37) and to obtain a good surface passivation and a reflection-reducing surface texture. The thus produced semiconductor layer substrates can be used, for example, for producing semiconductor elements, for example thin solar cells.
(FR)L'invention concerne un procédé pour former des substrats semiconducteurs stratifiés minces, selon lequel des couches faiblement poreuses (33, 37) et des couches fortement poreuses (35, 39) sont formées en alternance dans un substrat semiconducteur (1) par attaque électrochimique. L'empilement de couches ainsi obtenu peut ensuite être soumis, dans sa totalité, à d'autres étapes de traitement. Par exemple, une couche diélectrique de passivation (45) peut être formée sur la totalité de la surface des couches faiblement poreuses (33, 37) et des couches fortement poreuses (35, 39). Ensuite, les couches faiblement poreuses peuvent être successivement séparées les unes des autres par voie mécanique, les couches fortement poreuses intercalées pouvant chacune servir de zone de rupture. Il est ainsi possible de former, en peu d'étapes, un grand nombre de substrats semiconducteurs stratifiés minces sous la forme de couches faiblement poreuses (33, 37) et d'obtenir une bonne passivation de surface et une texture de surface à faible réflexion. Les substrats semiconducteurs stratifiés ainsi produits peuvent par exemple être utilisés pour la production de composants semiconducteurs tels que des cellules solaires.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: German (DE)
Filing Language: German (DE)