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Pub. No.:    WO/2010/142342    International Application No.:    PCT/EP2009/057261
Publication Date: 16.12.2010 International Filing Date: 12.06.2009
H01L 29/739 (2006.01), H01L 29/06 (2006.01), H01L 29/08 (2006.01), H01L 29/10 (2006.01)
Applicants: ABB RESEARCH LTD [CH/CH]; Affolternstrasse 44 CH-8050 Zürich (CH) (For All Designated States Except US).
ANTONIOU, Marina [CY/GB]; (GB) (For US Only).
UDREA, Florin [GB/GB]; (GB) (For US Only).
BAUER-HOLZER, Friedhelm [DE/CH]; (CH) (For US Only)
Inventors: ANTONIOU, Marina; (GB).
UDREA, Florin; (GB).
BAUER-HOLZER, Friedhelm; (CH)
Agent: BERNER, Thomas; ABB Patent Attorneys ABB Schweiz AG Intellectual Property (CH-LC/IP) Brown Boveri Strasse 6 CH-5400 Baden (CH)
Priority Data:
Abstract: front page image
(EN)A power semiconductor device (1) is provided with a semiconductor wafer (10) and a first electrical contact (8) being formed on a first main side (101) of the wafer and a second electrical contact (9) being formed on a second main side (102) of the wafer opposite the first main side (101). The wafer (10) comprises a structure with a plurality of layers of different conductivity types. It comprises at least one source region (2) of the first conductivity type contacting the first electrical contact (8), at least one base region (2) of a second conductivity type contacting the first electrical contact (8), a base layer (4) and a gate electrode, which is electrically insulated by an insulation layer (51) from the source region (2) and the base region (3). The base layer (4) comprises at least one first pillar (41) of the first conductivity type and at least one second pillar (42) of the second conductivity type, the first and second pillars (41, 42) being arranged alternately in the same plane. At least one second pillar (42) is not in contact with the base region (3).
(FR)L'invention concerne un dispositif à semi-conducteurs de puissance (1) comprenant une tranche semi-conductrice (10), un premier contact électrique (8) formé sur un premier côté principal (101) de la tranche et un second contact électrique (9) formé sur un second côté principal (102) de la tranche opposé au premier côté principal (101). Ladite tranche (10) comprend une structure dotée d'une pluralité de couches de différents types de conductivité, à savoir : au moins une région source (2) d'un premier type de conductivité en contact avec le premier contact électrique (8), au moins une région de base (3) d'un second type de conductivité en contact avec le premier contact électrique (8), une couche de base (4) et une électrode de grille qui est isolée électriquement d'une couche d'isolation (51) à partir de la région source (2) et de la région de base (3). La couche de base (4) comprend au moins un premier montant (41) du premier type de conductivité et au moins un second montant (42) du second type de conductivité, le premier et le second montant (41, 42) étant agencés alternativement dans le même plan. Au moins le second montant (42) n'est pas en contact avec la région de base (3).
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)