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1. (WO2010142313) A PASSIVE TERAHERTZ RADIATION SOURCE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2010/142313    International Application No.:    PCT/EP2009/004258
Publication Date: 16.12.2010 International Filing Date: 12.06.2009
IPC:
H01S 1/02 (2006.01), G02F 2/02 (2006.01)
Applicants: BADEN-WÜRTTEMBERG STIFTUNG GGMBH [DE/DE]; Im Kaisemer 1 70191 Stuttgart (DE) (For All Designated States Except US).
DEKORSY, Thomas [DE/DE]; (DE) (For US Only).
KLATT, Gregor [DE/DE]; (DE) (For US Only).
BASTIAN, Georg [DE/DE]; (DE) (For US Only).
HUSKA, Klaus [DE/DE]; (DE) (For US Only)
Inventors: DEKORSY, Thomas; (DE).
KLATT, Gregor; (DE).
BASTIAN, Georg; (DE).
HUSKA, Klaus; (DE)
Agent: SCHIUMA, Daniele; Müller-Boré & Partner Grafingerstrasse 2 81671 München (DE)
Priority Data:
Title (EN) A PASSIVE TERAHERTZ RADIATION SOURCE
(FR) SOURCE DE RAYONNEMENT TÉRAHERTZ PASSIVE
Abstract: front page image
(EN)The invention concerns a passive terahertz radiation source configured to emit electromagnetic radiation having frequency in the range of 10 GHz to 50 THz and a method for generating a terahertz radiation. The passive terahertz radiation source comprises: a source of a pulsed excitation light; an emitter comprising one or more emitter elements, each emitter element comprising a semiconductor layer being arranged such that at least a portion of a first major surface of said semiconductor layer is exposed to the excitation light, wherein each emitter element is configured such that upon exposure to the excitation light, a gradient of the charge carrier density is generated in the semiconductor layer in the area of transition between a first area of the semiconductor layer and a second area of the semiconductor layer, the gradient being substantially parallel to the first major surface of the semiconductor layer.
(FR)La présente invention concerne une source de rayonnement térahertz passive configurée pour émettre des rayonnements électromagnétiques dont la fréquence se situe dans la gamme des 10 GHz à 50 THz, ainsi qu'un procédé de génération de rayonnement térahertz. La source de rayonnement térahertz passive comprend : une source de lumière d'excitation pulsée; un émetteur comprenant un ou plusieurs éléments émetteurs, chaque élément émetteur comprenant une couche semi-conductrice agencée de façon à ce qu'au moins une partie d'une première surface principale de ladite couche semi-conductrice soit exposée à la lumière d'excitation. Chaque élément émetteur est configuré de façon à ce que lors d'une exposition à la lumière d'excitation, un gradient de la densité de porteur de charge soit généré dans la couche semi-conductrice dans la zone de transition entre une première zone de la couche semi-conductrice et une seconde zone de la couche semi-conductrice, le gradient étant sensiblement parallèle à la première surface principale de la couche semi-conductrice.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)