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1. WO2010141943 - LONG WAVELENGTH NONPOLAR AND SEMIPOLAR (Al,Ga,In)N BASED LASER DIODES

Publication Number WO/2010/141943
Publication Date 09.12.2010
International Application No. PCT/US2010/037623
International Filing Date 07.06.2010
IPC
H ELECTRICITY
01
BASIC ELECTRIC ELEMENTS
L
SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
33
Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
H01L 33/00 (2010.01)
CPC
B82Y 20/00
H01S 5/2009
H01S 5/2022
H01S 5/2031
H01S 5/22
H01S 5/320275
Applicants
  • THE REGENTS OF THE UNIVERSITY OF CALIFORNIA [US/US]; 1111 Franklin Street 12th Floor Oakland, California 94607, US (AllExceptUS)
  • CHAKRABORTY, Arpan [IN/US]; US (UsOnly)
  • LIN, You-Da [CN/US]; US (UsOnly)
  • NAKAMURA, Shuji [US/US]; US (UsOnly)
  • DENBAARS, Steven, P. [US/US]; US (UsOnly)
Inventors
  • CHAKRABORTY, Arpan; US
  • LIN, You-Da; US
  • NAKAMURA, Shuji; US
  • DENBAARS, Steven, P.; US
Agents
  • GATES, George, H.; 6701 Center Drive West Suite 1050 Los Angeles, California 90045, US
Priority Data
61/184,72905.06.2009US
Publication Language English (EN)
Filing Language English (EN)
Designated States
Title
(EN) LONG WAVELENGTH NONPOLAR AND SEMIPOLAR (Al,Ga,In)N BASED LASER DIODES
(FR) DIODES LASER NON POLAIRES ET SEMI-POLAIRES À GRANDE LONGUEUR D'ONDE À BASE DE (AL,GA,IN)N
Abstract
(EN)
A laser diode, grown on a miscut nonpolar or semipolar substrate, with lower threshold current density and longer stimulated emission wavelength, compared to conventional laser diode structures, wherein the laser diode's (1) n-type layers are grown in a nitrogen carrier gas, (2) quantum well layers and barrier layers are grown at a slower growth rate as compared to other device layers (enabling growth of the p-type layers at higher temperature), (3) high Al content electron blocking layer enables growth of layers above the active region at a higher temperature, and (4) asymmetric AlGaN SPSLS allowed growth of high Al containing p- AlGaN layers. Various other techniques were used to improve the conductivity of the p-type layers and minimize the contact resistance of the contact layer.
(FR)
Diode laser, tirée sur un substrat non polaire ou semi-polaire à erreur de découpe, présentant une plus faible densité de courant seuil et une plus grande longueur d'onde d'émission stimulée que les structures de diodes laser classiques, et comportant : (1) des couches du type n tirées dans un gaz porteur à l'azote, (2) des couches de puits quantiques et des couches d'arrêt tirées à une vitesse de tirage inférieure à celle associée à d'autres couches de dispositif (permettant le tirage des couches du type p à une température plus élevée), (3) une couche bloquant les électrons à haute teneur en Al permettant le tirage de couches au-dessus de la région active à une température plus élevée, et (4) des SPSL asymétriques à AlGaN permettant le tirage de couches p-AlGaN à forte teneur en Al. Diverses autres techniques ont été utilisées pour améliorer la conductivité des couches du type p et réduire au minimum la résistance de contact de la couche de contact.
Also published as
Latest bibliographic data on file with the International Bureau