WIPO logo
Mobile | Deutsch | Español | Français | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Search International and National Patent Collections
World Intellectual Property Organization
Search
 
Browse
 
Translate
 
Options
 
News
 
Login
 
Help
 
Machine translation
1. (WO2010141091) CCD IMAGE SENSORS HAVING MULTIPLE OVERFLOW DRAINS
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2010/141091    International Application No.:    PCT/US2010/001621
Publication Date: 09.12.2010 International Filing Date: 28.05.2010
IPC:
H01L 27/148 (2006.01)
Applicants: EASTMAN KODAK COMPANY [US/US]; 343 State Street Rochester, New York 14650 (US) (For All Designated States Except US).
WANG, Shen [US/US]; (US) (For US Only).
MEISENZAHL, Eric John [US/US]; (US) (For US Only).
NICHOLS, David Newell [US/US]; (US) (For US Only)
Inventors: WANG, Shen; (US).
MEISENZAHL, Eric John; (US).
NICHOLS, David Newell; (US)
Common
Representative:
EASTMAN KODAK COMPANY; 343 State Street Rochester, New York 14650 (US)
Priority Data:
12/475,825 01.06.2009 US
Title (EN) CCD IMAGE SENSORS HAVING MULTIPLE OVERFLOW DRAINS
(FR) CAPTEURS D'IMAGE CCD À MULTIPLES DRAINS DE DÉBORDEMENT
Abstract: front page image
(EN)A charge-coupled device (CCD) image sensor (206) includes a layer of a semiconductor material having a first conductivity type. A horizontal CCD channel region (312) of a second conductivity type is disposed in the layer of the semiconductor material. The horizontal CCD channel region includes multiple phases (314,316,318,320 ) that are used to shift photo-generated charge through the horizontal CCD channel region. Distinct overflow drain regions (326) are disposed in the layer of semiconducting material, with an overflow drain region electrically connected to only one particular phase of the horizontal CCD channel region. A buffer region (324) of the second conductivity type can be used to electrically connect each overflow drain to the one particular phase of the horizontal CCD channel. Multiple barrier regions (322) are disposed in the layer of semiconductor material, with each barrier region disposed between each overflow drain and the one particular phase electrically connected to the drain.
(FR)L'invention porte sur un capteur d'image à dispositif à couplage de charge (CCD) (206) qui comprend une couche de matériau semi-conducteur ayant un premier type de conductivité. Une région de canal CCD horizontal (312) d'un second type de conductivité est agencée dans la couche du matériau semi-conducteur. La région de canal CCD horizontal comprend de multiples phases (314, 316, 318, 320) qui sont utilisées pour transférer une charge photogénérée à travers la région de canal CCD horizontal. Des régions de drain de débordement distinctes (326) sont agencées dans la couche de matériau semi-conducteur, une région de drain de débordement étant électriquement connectée à une seule phase particulière de la région de canal CCD horizontal. Une région tampon (324) du second type de conductivité peut être utilisée pour connecter électriquement chaque drain de débordement à la phase particulière du canal CCD horizontal. De multiples régions barrières (322) sont agencées dans la couche de matériau semi-conducteur, chaque région barrière étant agencée entre un drain de débordement et la phase particulière électriquement connectée au drain.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)