WIPO logo
Mobile | Deutsch | Español | Français | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Search International and National Patent Collections
World Intellectual Property Organization
Search
 
Browse
 
Translate
 
Options
 
News
 
Login
 
Help
 
Machine translation
1. (WO2010140671) SILICON WAFER POLISHING METHOD AND SILICON WAFER
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2010/140671    International Application No.:    PCT/JP2010/059487
Publication Date: 09.12.2010 International Filing Date: 28.05.2010
IPC:
H01L 21/304 (2006.01)
Applicants: SUMCO CORPORATION [JP/JP]; 2-1, Shibaura 1-chome, Minato-ku, Tokyo 1058634 (JP) (For All Designated States Except US).
MATSUDA, Shuhei [JP/JP]; (JP) (For US Only).
IWASHITA, Tetsuro [JP/JP]; (JP) (For US Only).
TANIMOTO, Ryuichi [JP/JP]; (JP) (For US Only).
TAKUSHIMA, Takeru [JP/JP]; (JP) (For US Only).
KATOH, Takeo [JP/JP]; (JP) (For US Only)
Inventors: MATSUDA, Shuhei; (JP).
IWASHITA, Tetsuro; (JP).
TANIMOTO, Ryuichi; (JP).
TAKUSHIMA, Takeru; (JP).
KATOH, Takeo; (JP)
Agent: SUGIMURA, Kenji; 36F, Kasumigaseki Common Gate West, 3-2-1, Kasumigaseki, Chiyoda-ku, Tokyo 1000013 (JP)
Priority Data:
2009-136020 05.06.2009 JP
Title (EN) SILICON WAFER POLISHING METHOD AND SILICON WAFER
(FR) PROCÉDÉ DE POLISSAGE DE TRANCHE DE SILICIUM ET TRANCHE DE SILICIUM
(JA) シリコンウェーハの研磨方法及びシリコンウェーハ
Abstract: front page image
(EN)Disclosed is a silicon wafer polishing method wherein a high planarity can be achieved as in conventional polishing methods, and furthermore, generation of defects due to the residual of a substance contained in a polishing liquid on a wafer surface can be suppressed. A polished silicon wafer is also disclosed. In the silicon wafer polishing method, the surface of a silicon wafer is polished by supplying the polishing liquid, which contains abrasive grains, to the surface of a polishing pad and relatively sliding the polishing pad with respect to the silicon wafer. The number of the abrasive grains contained in the polishing liquid is 5×1013/cm3 or less.
(FR)La présente invention se rapporte à un procédé de polissage de tranche de silicium. Dans le procédé selon l'invention, un niveau de planarité élevé peut être atteint, comme dans des procédés de polissage conventionnels. Mais, en plus de cela, une génération de défauts due à la quantité résiduelle d'une substance contenue dans un liquide de polissage sur la surface d'une tranche peut être éliminée. La présente invention se rapporte également à une tranche de silicium polie. Dans le procédé de polissage de tranche de silicium selon l'invention, la surface d'une tranche de silicium est polie en fournissant le liquide de polissage, qui contient des grains abrasifs, sur la surface d'un plot de polissage et en faisant glisser relativement le plot de polissage par rapport à la tranche de silicium. Le nombre des grains abrasifs contenus dans le liquide de polissage est de 5×1013/cm3 ou moins.
(JA) 本発明の目的は、従来の研磨方法と同様に、高い平坦度を実現でき、さらに、研磨液中に含有する物質がウェーハ表面に残存することに起因した欠陥の発生を抑制できるシリコンウェーハの研磨方法及び研磨されたシリコンウェーハを提供することである。 研磨パッドの表面に砥粒を含有する研磨液を供給し、シリコンウェーハに対し前記研磨パッドを相対的に摺動させることで、シリコンウェーハの表面を研磨するシリコンウェーハの研磨方法であって、前記研磨液に含有する砥粒の数が5×1013個/cm3以下であることを特徴とする。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)