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1. (WO2010140551) COMPOSITION FOR FORMING SILICON-CONTAINING RESIST UNDERLAYER FILM HAVING SULFIDE BOND
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2010/140551    International Application No.:    PCT/JP2010/059117
Publication Date: 09.12.2010 International Filing Date: 28.05.2010
IPC:
G03F 7/11 (2006.01)
Applicants: NISSAN CHEMICAL INDUSTRIES, LTD. [JP/JP]; 7-1, Kanda-Nishiki-cho 3-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1010054 (JP) (For All Designated States Except US).
KANNO, Yuta [JP/JP]; (JP) (For US Only).
NAKAJIMA, Makoto [JP/JP]; (JP) (For US Only).
SHIBAYAMA, Wataru [JP/JP]; (JP) (For US Only)
Inventors: KANNO, Yuta; (JP).
NAKAJIMA, Makoto; (JP).
SHIBAYAMA, Wataru; (JP)
Agent: HANABUSA, Tsuneo; c/o Hanabusa Patent Office, Shin-Ochanomizu Urban Trinity, 2, Kandasurugadai 3-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1010062 (JP)
Priority Data:
2009-133189 02.06.2009 JP
Title (EN) COMPOSITION FOR FORMING SILICON-CONTAINING RESIST UNDERLAYER FILM HAVING SULFIDE BOND
(FR) COMPOSITION POUR LA FORMATION D'UN FILM DE SOUS-COUCHE DE RÉSERVE CONTENANT DU SILICIUM AYANT UNE LIAISON SULFURE
(JA) スルフィド結合を有するシリコン含有レジスト下層膜形成組成物
Abstract: front page image
(EN)Disclosed is a composition for forming a resist underlayer film for lithography, which is used for the purpose of forming a resist underlayer film that can be used as a hard mask. Also disclosed is a method for forming a resist pattern, wherein the composition for forming a resist underlayer film for lithography is used. Specifically disclosed is a composition for forming a resist underlayer film for lithography, which contains, as a silicon atom-containing compound, a hydrolyzable organosilane, a hydrolysis product thereof or a hydrolysis-condensation product thereof. The composition for forming a resist underlayer film for lithography is characterized in that the ratio of sulfur atoms to silicon atoms is less than 5% by mole in the silicon atom-containing compound as a whole. The hydrolyzable organosilane is represented by formula (1), and R3 in formula (1) has a partial structure represented by formula (2).
(FR)L'invention porte sur une composition pour la formation d'un film de sous-couche de réserve pour la lithographie, qui est utilisée dans le but de former un film de sous-couche de réserve qui peut être utilisée comme masque dur. L'invention porte également sur un procédé pour la formation d'un motif de réserve, utilisant la composition pour la formation d'un film de sous-couche de réserve pour la lithographie. De façon spécifique l'invention porte sur une composition pour la formation d'un film de sous-couche de réserve pour la lithographie, qui contient, comme composé contenant des atomes de silicium, un organosilane hydrolysable, un produit d'hydrolyse de celui-ci ou un produit d'hydrolyse-condensation de celui-ci. La composition pour la formation d'un film de sous-couche de réserve pour la lithographie est caractérisée en ce que le rapport du nombre d'atomes de soufre au nombre d'atomes de silicium est inférieur à 5 % en mole dans le composé contenant des atomes de silicium dans son ensemble. L'organosilane hydrolysable est représenté par la formule (1) et R3 dans la formule (1) a la structure partielle représentée par la formule (2).
(JA)【課題】 ハードマスクとして使用できるレジスト下層膜を形成するためのリソグラフィー用レジスト下層膜形成組成物を提供する。該リソグラフィー用レジスト下層膜形成組成物を用いたレジストパターンの形成方法を提供する。 【解決手段】ケイ素原子含有化合物として加水分解性オルガノシラン、その加水分解物、又はその加水分解縮合物を含む組成物であって、前記ケイ素原子含有化合物全体において、シリコン原子に対するイオウ原子の割合が5モル%未満の割合であるリソグラフィー用レジスト下層膜形成組成物。加水分解性オルガノシランが式(1): 〔RSi(R3‐a 式(1) である。式(1)のRが式(2): R-S-R 式(2)の部分構造を有する。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)