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1. (WO2010140296) NONVOLATILE MEMORY ELEMENT AND SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE PROVIDED WITH THE SAME
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2010/140296    International Application No.:    PCT/JP2010/002896
Publication Date: 09.12.2010 International Filing Date: 22.04.2010
IPC:
H01L 27/10 (2006.01), G11C 13/00 (2006.01), H01L 45/00 (2006.01), H01L 49/00 (2006.01)
Applicants: PANASONIC CORPORATION [JP/JP]; 1006, Oaza Kadoma, Kadoma-shi, Osaka 5718501 (JP) (For All Designated States Except US).
WEI, Zhiqiang; (For US Only).
TAKAGI, Takeshi; (For US Only).
IIJIMA, Mitsuteru; (For US Only)
Inventors: WEI, Zhiqiang; .
TAKAGI, Takeshi; .
IIJIMA, Mitsuteru;
Agent: PATENT CORPORATE BODY ARCO PATENT OFFICE; 3rd Fl., Bo-eki Bldg., 123-1, Higashimachi, Chuo-ku, Kobe-shi, Hyogo 6500031 (JP)
Priority Data:
2009-133923 03.06.2009 JP
Title (EN) NONVOLATILE MEMORY ELEMENT AND SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE PROVIDED WITH THE SAME
(FR) ELÉMENT DE MÉMOIRE NON VOLATILE ET DISPOSITIF DE MÉMOIRE À SEMI-CONDUCTEURS LE COMPRENANT
(JA) 不揮発性記憶素子およびこれを備えた半導体記憶装置
Abstract: front page image
(EN)Provided are a nonvolatile memory element wherein even if a defect occurs in an nonvolatile memory element, writing data to or reading data from other nonvolatile memory elements arranged in the same line or the same row in which the defective nonvolatile memory element is disposed can be effectively prevented from not being permitted; and a semiconductor memory device provided with the nonvolatile memory element. The nonvolatile memory element is provided with a current control element (112) having nonlinear current-voltage characteristics; a resistance variation element (105) wherein a resistance state is reversibly shifted between a low-resistance state and a high-resistance state having a resistance value higher than that of the low-resistance state on the basis of a voltage pulse to be applied; and a fuse (103). The current control element (112), the resistance variation element (105), and the fuse (103) are connected in series. The fuse (103) is blown when the current control element (112) is substantially short-circuited.
(FR)La présente invention se rapporte à un élément de mémoire non volatile. Selon l'invention, même si un défaut se produit dans un élément de mémoire non volatile, l'écriture de données dans d'autres éléments de mémoire non volatile, ou la lecture de données à partir d'autres éléments de mémoire non volatile disposés sur la même ligne ou la même rangée que celle sur laquelle se trouve l'élément de mémoire non volatile défectueux peut être efficacement maintenue. La présente invention se rapporte par ailleurs à un dispositif de mémoire à semi-conducteurs comprenant l'élément de mémoire non volatile. L'élément de mémoire non volatile comprend : un élément de réglage de courant (112) doté de caractéristiques de courant et de tension non linéaires ; un élément à résistance variable (105) dans lequel un état de résistance est commuté de façon réversible entre un état de résistance faible et un état de résistance élevée ayant une valeur de résistance plus élevée que celle de l'état de résistance faible sur la base d'une impulsion de tension devant être appliquée ; et un fusible (103). L'élément de réglage de courant (112), l'élément à résistance variable (105) et le fusible (103) sont connectés en série. Le fusible (103) grille lorsque l'élément de réglage de courant (112) est sensiblement court-circuité.
(JA) ある不揮発性記憶素子で不良が発生した場合でも、不良の不揮発性記憶素子と同じ行または同じ列の他の不揮発性記憶素子に対して書込み、読み出しが行えなくなることを有効に防止することができる不揮発性記憶素子およびこれを備えた半導体記憶装置を提供する。 非線形の電流-電圧特性を有する電流制御素子(112)と、印加される電圧パルスに基づいて低抵抗状態と低抵抗状態より抵抗値が高い高抵抗状態との間を可逆的に遷移する抵抗変化素子(105)と、ヒューズ(103)とを備えている。電流制御素子(112)、抵抗変化素子(105)及びヒューズ(103)は、直列接続される。ヒューズ(103)は、電流制御素子(112)が実質的に短絡状態となったときに断絶する。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)