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1. (WO2010140210) SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2010/140210    International Application No.:    PCT/JP2009/060001
Publication Date: 09.12.2010 International Filing Date: 01.06.2009
IPC:
H01L 27/105 (2006.01)
Applicants: HITACHI, LTD. [JP/JP]; 6-6, Marunouchi 1-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008280 (JP) (For All Designated States Except US).
KUROTSUCHI, Kenzo [JP/JP]; (JP) (For US Only).
TAKAURA, Norikatsu [JP/JP]; (JP) (For US Only).
FUJISAKI, Yoshihisa [JP/JP]; (JP) (For US Only).
SASAGO, Yoshitaka [JP/JP]; (JP) (For US Only).
MORIKAWA, Takahiro [JP/JP]; (JP) (For US Only).
KINOSHITA, Masaharu [JP/JP]; (JP) (For US Only)
Inventors: KUROTSUCHI, Kenzo; (JP).
TAKAURA, Norikatsu; (JP).
FUJISAKI, Yoshihisa; (JP).
SASAGO, Yoshitaka; (JP).
MORIKAWA, Takahiro; (JP).
KINOSHITA, Masaharu; (JP)
Agent: TSUTSUI, Yamato; Tsutsui & Associates, 3F Shinjuku Gyoen Bldg., 3-10, Shinjuku 2-chome, Shinjuku-ku, Tokyo 1600022 (JP)
Priority Data:
Title (EN) SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF
(FR) DISPOSITIF DE MÉMOIRE À SEMI-CONDUCTEURS ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(JA) 半導体記憶装置およびその製造方法
Abstract: front page image
(EN)The rewrite current of a nonvolatile memory provided with a recording layer comprising phase change material is reduced and the reliability is improved. A heat-conducting layer is provided between the recording layer and a heater layer for heating the recording layer. The thermal conductivity of the heat-conducting layer is higher than that of the recording layer and the heater layer. Because Joule heat generated in the heater layer by the rewrite current is diffused by the heat-conducting layer in directions that are parallel to the recording layer, the recording layer is heated uniformly. As a result, the periphery of the recording layer is efficiently heated and the rewrite current can be reduced. Also by reducing the rewrite current, excessive heating of the center of the recording layer is eliminated and memory reliability improves.
(FR)Selon l'invention, le courant de réécriture d'une mémoire non volatile qui comprend une couche d'enregistrement comprenant un matériau à changement de phase est réduit et la fiabilité améliorée. Une couche conductrice de chaleur est installée entre la couche d'enregistrement et une couche chauffante destinée à chauffer la couche d'enregistrement. La conductivité thermique de la couche conductrice de chaleur est supérieure à celles de la couche d'enregistrement et de la couche chauffante. Etant donné qu'une chaleur générée par effet Joule dans la couche chauffante par le courant de réécriture est diffusée par la couche conductrice de chaleur dans des directions qui sont parallèles à la couche d'enregistrement, la couche d'enregistrement est chauffée uniformément. En résultat, la périphérie de la couche d'enregistrement est efficacement chauffée et le courant de réécriture peut être réduit. Egalement par réduction du courant de réécriture, un échauffement excessif du centre de la couche d'enregistrement est éliminé et la fiabilité de la mémoire est améliorée.
(JA) 相変化材料を含む記録層を備えた不揮発性メモリの書き換え電流を低減し、信頼性を向上させる。記録層と記録層を加熱するためのヒータ層との間に、熱伝導層を設ける。熱伝導層の熱伝導率は、記録層およびヒータ層よりも大きい。書き換え電流によりヒータ層に発生したジュール熱が、熱伝導層により記録層に平行な方向に拡散されるため、一様に記録層が加熱される。その結果、記録層の周辺部が効率的に加熱され、書き換え電流を低減することができる。また、書き換え電流の低減により、記録層の中心部が必要以上に加熱されることがなくなり、メモリの信頼性が向上する。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)