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1. (WO2010138999) PLASMA ETCHING OF CHALCOGENIDES
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2010/138999    International Application No.:    PCT/AU2010/000665
Publication Date: 09.12.2010 International Filing Date: 31.05.2010
Chapter 2 Demand Filed:    01.04.2011    
IPC:
C03C 23/00 (2006.01), C23F 1/12 (2006.01), H01L 21/3065 (2006.01), H01L 21/3213 (2006.01)
Applicants: THE AUSTRALIAN NATIONAL UNIVERSITY [AU/AU]; Acton, ACT 0200 (AU) (For All Designated States Except US).
MADDEN, Stephen John [AU/AU]; (AU) (For US Only).
VU, Khu Tri [VN/AU]; (AU) (For US Only)
Inventors: MADDEN, Stephen John; (AU).
VU, Khu Tri; (AU)
Agent: SPRUSON & FERGUSON; GPO Box 3898 Sydney, NSW 2001 (AU)
Priority Data:
2009902471 01.06.2009 AU
Title (EN) PLASMA ETCHING OF CHALCOGENIDES
(FR) GRAVURE AU PLASMA DE CHALCOGENURES
Abstract: front page image
(EN)A process for etching a thin glass film comprising at least one chalcogen, the process comprising the step of etching the thin glass film with a plasma comprising substantial amounts of free hydrogen sufficient to effect etching. In particular arrangements, the plasma is derived from a hydrogen rich mixture. Prior to etching the thin glass film, the process may further comprise the steps of: forming the thin glass film on a substrate; forming a mask layer on the thin glass film; mounting the substrate on a substrate plate in a reaction chamber of a plasma system, wherein the mounting provides thermal contact between the thin glass film and the substrate plate; heating or cooling the thin glass film to a desired etching temperature; evacuating the reaction chamber to a desired etching pressure; injecting one or more gaseous substances into the reaction chamber and striking a plasma in the plasma system, whereby the injected gases are disassociated by the plasma, such that substantial amounts of free hydrogen sufficient to effect etching of the thin glass film are formed in the reaction chamber. The thin film may be a chalcogenide glass film, or alternatively, the thin glass film may a tellurite glass film.
(FR)L'invention concerne un procédé de gravure d'un film en verre mince contenant au moins un chalcogène. Ce procédé consiste à graver le film en verre mince au moyen d'un plasma contenant des quantités importantes d'hydrogène libre, suffisantes pour effectuer la gravure. Dans des modes de réalisation particuliers, le plasma est issu d'un mélange riche en hydrogène. Avant de graver le film en verre mince, le procédé peut consister : à former le film en verre mince sur un substrat ; à former une couche masque sur le film en verre mince ; à monter le substrat sur une plaque de substrat dans une chambre de réaction d'un système à plasma, le montage établissant un contact thermique entre le film en verre mince et la plaque de substrat ; à chauffer ou refroidir le film en verre mince à une température de gravure souhaitée ; à évacuer la chambre de réaction à une pression de gravure souhaitée ; à injecter au moins une substance gazeuse dans la chambre de réaction et à amorcer un plasma dans le système à plasma, les gaz injectés étant dissociés par le plasma, de sorte que des quantités importantes d'hydrogène libre suffisantes pour effectuer la gravure sur le film en verre mince soient formées dans la chambre de réaction. Le film mince peut être un film en verre de chalcogénure ou, en variante, un film en verre de tellurite.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)