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1. (WO2010138976) THREE-DIMENSIONAL THIN-FILM SEMICONDUCTOR SUBSTRATE WITH THROUGH-HOLES AND METHODS OF MANUFACTURING
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2010/138976    International Application No.:    PCT/US2010/036975
Publication Date: 02.12.2010 International Filing Date: 01.06.2010
Chapter 2 Demand Filed:    24.11.2010    
IPC:
H01L 21/00 (2006.01), H01L 21/306 (2006.01), H01L 29/04 (2006.01)
Applicants: SOLEXEL, INC. [US/US]; 1530 Mccarthy Blvd. Milpitas, CA 95035-7405 (US) (For All Designated States Except US).
MOSLEHI, Mehrdad, M. [US/US]; (US) (For US Only).
WANG, David, Xuan-qi [US/US]; (US) (For US Only)
Inventors: MOSLEHI, Mehrdad, M.; (US).
WANG, David, Xuan-qi; (US)
Agent: WOOD, John, Ryan, C.; Hulsey, P.C. Intellectual Property Lawyers 919 Congress Ave. Suite 919 Austin, TX 78701 (US)
Priority Data:
61/228,068 23.07.2009 US
61/182,635 29.05.2009 US
Title (EN) THREE-DIMENSIONAL THIN-FILM SEMICONDUCTOR SUBSTRATE WITH THROUGH-HOLES AND METHODS OF MANUFACTURING
(FR) SUBSTRAT SEMI-CONDUCTEUR TRIDIMENSIONNEL À COUCHES MINCES AVEC TROUS DE PASSAGE, ET PROCÉDÉS POUR SA FABRICATION
Abstract: front page image
(EN)A method for the fabrication of a three-dimensional thin-film semiconductor substrate with selective through-holes is provided. A porous semiconductor layer is conformally formed on a semiconductor template comprising a plurality of three-dimensional inverted pyramidal surface features defined by top surface areas aligned along a (100) crystallographic orientation plane of the semiconductor template and a plurality of inverted pyramidal cavities defined by sidewalls aligned along the (111) crystallographic orientation plane of the semiconductor template. An epitaxial semiconductor layer is conformally formed on the porous semiconductor layer. The epitaxial semiconductor layer is released from the semiconductor template. Through-holes are selectively formed in the epitaxial semiconductor layer with openings between the front and back lateral surface planes of the epitaxial semiconductor layer to form a partially transparent three-dimensional thin-film semiconductor substrate.
(FR)La présente invention se rapporte à un procédé de fabrication d'un substrat semi-conducteur tridimensionnel à couches minces avec trous de passage sélectifs. Une couche semi-conductrice poreuse est formée sur un modèle semi-conducteur en l'épousant. Le modèle semi-conducteur comprend : une pluralité de caractéristiques de surface pyramidale inversée tridimensionnelles définies par des zones de surface supérieure alignées le long d'un (100) plan d'orientation cristallographique du modèle semi-conducteur; et une pluralité de cavités pyramidales inversées définies par des parois latérales alignées le long du (111) plan d'orientation cristallographique du modèle semi-conducteur. Une couche semi-conductrice épitaxiale est formée sur la couche semi-conductrice poreuse, en l'épousant. La couche semi-conductrice épitaxiale est libérée du modèle semi-conducteur. Des trous de passage sont formés sélectivement dans la couche semi-conductrice épitaxiale, avec des ouvertures entre les plans de surfaces latérales avant et arrière de la couche semi-conductrice épitaxiale pour former ainsi un substrat semi-conducteur tridimensionnel transparent à couches minces.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)