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1. (WO2010138554) DEVICE FABRICATION WITH PLANAR BRAGG GRATINGS SUPPRESSING PARASITIC EFFECTS
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2010/138554    International Application No.:    PCT/US2010/036152
Publication Date: 02.12.2010 International Filing Date: 26.05.2010
IPC:
G02B 6/42 (2006.01)
Applicants: REDFERN INTEGRATED OPTICS, INC. [US/US]; 3350 Scott Blvd., Bldg. 62 Santa Clara, CA 95054 (US) (For All Designated States Except US).
BARSAN, Radu [US/US]; (US) (For US Only).
STOLPNER, Lew [US/US]; (US) (For US Only)
Inventors: BARSAN, Radu; (US).
STOLPNER, Lew; (US)
Agent: JAFFER, David, H.; PILLSBURY WINTHROP SHAW PITTMAN P.O. Box 10500-Intellectual Property Group McLean, VA 22102 (US)
Priority Data:
61/181,617 27.05.2009 US
Title (EN) DEVICE FABRICATION WITH PLANAR BRAGG GRATINGS SUPPRESSING PARASITIC EFFECTS
(FR) FABRICATION DE DISPOSITIF AVEC RÉSEAUX DE BRAGG PLANS SUPPRIMANT DES EFFETS PARASITES
Abstract: front page image
(EN)The present invention relates to various methods of fabricating Planar Bragg Gratings (PBG) in a doped waveguide in a Planar Lightwave Circuit (PLC) device, suppressing unwanted parasitic grating effects during fabrication of the device. One approach to reduce parasitic gratings is to use a hard mask before the waveguide photolithography and etch, that results in a steeper sidewall angle that reduces or eliminates the parasitic grating effect. Another method of reducing parasitic grating effect is to deposit a layer of developable Bottom And Reflective Coating (BARC) prior to depositing the photo resist for waveguide etch. A third method of resisting parasitic gratings comprises using a planarizing undoped silica layer as a barrier layer on top of the core. During subsequent high temperature annealing germanium outdiffuses laterally into the cladding. The net effect is an optical waveguide with improved lateral uniformity because germanium diffusion smoothes out the sidewall roughness.
(FR)La présente invention porte sur divers procédés de fabrication de réseaux de Bragg plans (PBG) dans un guide d'onde dopé dans un dispositif à circuit à onde lumineuse planaire (PLC), supprimant des effets de réseau parasite non souhaités lors de la fabrication du dispositif. Une approche pour réduire des réseaux parasites consiste à utiliser un masque dur avant la photolithographie de guide d'onde et la gravure, qui conduit un angle de paroi latérale plus obtus qui réduit ou élimine l'effet de réseau parasite. Un autre procédé de réduction d'un effet de réseau parasite consiste à déposer une couche de revêtement réfléchissant et inférieure pouvant être développée (BARC) avant de déposer le photorésist pour une gravure de guide d'onde. Un troisième procédé de résistance à des réseaux parasites comprend l'utilisation d'une planarisation d'une couche de silice non dopée sous forme de couche barrière sur la partie supérieure du noyau. Lors d'un recuit haute température ultérieur, du germanium diffuse latéralement dans la gaine. L'effet net est un guide d'onde optique avec une uniformité latérale améliorée en raison du fait qu'une diffusion de germanium lisse la rugosité de paroi latérale.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)