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1. (WO2010137544) LIQUID ETCHANT AND METHOD FOR FORMING TRENCH ISOLATION STRUCTURE USING SAME
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2010/137544    International Application No.:    PCT/JP2010/058711
Publication Date: 02.12.2010 International Filing Date: 24.05.2010
IPC:
H01L 21/306 (2006.01), H01L 21/316 (2006.01), H01L 21/76 (2006.01)
Applicants: AZ Electronic Materials (Japan) K.K. [JP/JP]; Bunkyo Green Court, 28-8, Honkomagome 2-chome, Bunkyo-ku, Tokyo 1130021 (JP) (AE, AG, AL, AM, AO, AU, AZ, BA, BB, BF, BH, BJ, BR, BW, BY, BZ, CA, CF, CG, CI, CL, CM, CN, CO, CR, CU, DM, DO, DZ, EC, EG, GA, GD, GE, GH, GM, GN, GQ, GT, GW, HN, ID, IL, IN, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LY, MA, MD, ME, MG, ML, MN, MR, MW, MX, MY, MZ, NA, NE, NG, NI, NZ, OM, PE, PG, PH, RS, RU, SC, SD, SG, SL, SN, ST, SV, SY, SZ, TD, TG, TH, TJ, TM, TN, TT, TZ, UA, UG, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW only).
AZ Electronic Materials USA CORP. [US/US]; 70 Meister Avenue, Somerville, New Jersey 08876 (US) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR only).
SAKURAI Issei [JP/JP]; (JP) (For US Only)
Inventors: SAKURAI Issei; (JP)
Agent: KATSUNUMA Hirohito; Kyowa Patent & Law Office, Room 323, Fuji Bldg., 2-3, Marunouchi 3-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1000005 (JP)
Priority Data:
2009-125539 25.05.2009 JP
2009-255960 09.11.2009 JP
Title (EN) LIQUID ETCHANT AND METHOD FOR FORMING TRENCH ISOLATION STRUCTURE USING SAME
(FR) AGENT DE GRAVURE LIQUIDE ET PROCÉDÉ DE FORMATION D'UNE STRUCTURE D'ISOLATION DE TRANCHÉE À L'AIDE DE CELUI-CI
(JA) エッチング液およびそれを用いたトレンチ・アイソレーション構造の形成方法
Abstract: front page image
(EN)Disclosed are a liquid etchant which is not easily affected by a trench structure, and a method for forming an isolation structure using the liquid etchant. Specifically disclosed is liquid etchant which contains hydrofluoric acid and an organic solvent. The organic solvent has a δH of not less than 4 but not more than 12 as determined by the Hansen solubility parameters, and a saturated solubility in water at 20˚C of not less than 5%. The liquid etchant can be used in place of a conventional liquid etchant which is used in a semiconductor element forming process.
(FR)L'invention porte sur un agent de gravure liquide qui n'est pas facilement affecté par une structure de tranchée, et sur un procédé de formation d'une structure d'isolation à l'aide de l'agent de gravure liquide. L'invention porte de manière spécifique sur un agent de gravure liquide qui contient de l'acide fluorhydrique et un solvant organique. Le solvant organique a un δH de pas moins de 4 mais de pas plus de 12 tel que déterminé par les paramètres de solubilité de Hansen, et une solubilité dans l'eau saturée à 20°C de pas moins de 5 %. L'agent de gravure liquide peut être utilisé à la place d'un agent de gravure liquide classique qui est utilisé dans un procédé de formation d'élément semi-conducteur.
(JA)[課題]トレンチ構造の影響を受けにくいエッチング液とそれを用いたアイソレーション構造の形成方法の提供。 [解決手段]フッ酸と有機溶媒とを含んでなるエッチング液。前記有機溶媒の、ハンセンの溶解度パラメーターによって定義されるδHは4以上12以下であり、20℃の水に対する飽和溶解度が5%以上である。このエッチング液は、従来の半導体素子形成プロセスに用いられるエッチング液の代わりに用いることができる。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)