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1. (WO2010137522) MULTILAYER STRUCTURE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2010/137522    International Application No.:    PCT/JP2010/058594
Publication Date: 02.12.2010 International Filing Date: 21.05.2010
IPC:
H01G 4/18 (2006.01), H01G 4/20 (2006.01), H01G 4/33 (2006.01), H01G 13/00 (2006.01)
Applicants: SANYO ELECTRIC CO., LTD. [JP/JP]; 5-5, Keihan-hondori 2-chome, Moriguchi-shi, Osaka 5708677 (JP) (For All Designated States Except US).
NOGUCHI Hitoshi [JP/JP]; (JP) (For US Only).
TANAKA Naoki [JP/JP]; (JP) (For US Only).
NAKAMURA Tatsuya [JP/JP]; (JP) (For US Only).
NAGAMITSU Kenichi [JP/JP]; (JP) (For US Only)
Inventors: NOGUCHI Hitoshi; (JP).
TANAKA Naoki; (JP).
NAKAMURA Tatsuya; (JP).
NAGAMITSU Kenichi; (JP)
Agent: KADOYA Hiroshi; C/O SANYO ELECTRIC CO., LTD., 5-5, Keihan-hondori 2-chome, Moriguchi-shi, Osaka 5708677 (JP)
Priority Data:
2009-130016 29.05.2009 JP
2010-113857 18.05.2010 JP
Title (EN) MULTILAYER STRUCTURE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME
(FR) STRUCTURE MULTICOUCHE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(JA) 積層構造体及びその製造方法
Abstract: front page image
(EN)Disclosed are a multilayer structure wherein dielectric breakdown is not easily generated, and a method for manufacturing the multilayer structure. The multilayer structure has a dielectric layer (3) between a first conductive layer (1) and a second conductive layer (2). The dielectric layer (3) is composed of: a pair of dielectric films (31, 32) which are respectively formed on the facing surfaces (1a, 2a) of the first conductive layer (1) and the second conductive layer (2); and an adhesive layer (33) which adheres the pair of dielectric films (31, 32) to each other. The method for manufacturing the multilayer structure has: a dielectric film forming step wherein the dielectric films (31, 32) are formed in regions, which are parts of the surfaces of a pair of metal members to be the first conductive layer (1) and the second conductive layer (2) and to face each other; and an adhering step wherein the dielectric films (31, 32) formed on the pair of metal members are adhered to each other with an adhesive layer (33) therebetween. The dielectric layer (3) is composed of both the dielectric films (31, 32) and the adhesive layer (33).
(FR)La présente invention a trait à une structure multicouche qui ne génère pas facilement de rupture diélectrique et à un procédé de fabrication de ladite structure multicouche. La structure multicouche est pourvue d'une couche diélectrique (3) située entre une première couche conductrice (1) et une seconde couche conductrice (2). La couche diélectrique (3) est constituée : d'une paire de films diélectriques (31, 32) qui sont respectivement formés sur les surfaces frontales (1a, 2a) de la première couche conductrice (1) et de la seconde couche conductrice (2) ; et d'une couche adhésive (33) qui colle la paire de films diélectriques (31, 32) l'un à l'autre. Le procédé de fabrication de la structure multicouche est constitué : d'une étape de formation de film diélectrique consistant à former les films diélectriques (31, 32) dans des régions qui font partie des surfaces d'une paire d'éléments métalliques devant constituer la première couche conductrice (1) et la seconde couche conductrice (2) et devant se faire face ; et d'une étape d'adhérence consistant à coller les films diélectriques (31, 32) formés sur la paire d'éléments métalliques l'un à l'autre à l'aide d'une couche adhésive (33) placée entre les films diélectriques (31, 32). La couche diélectrique (3) est constituée des deux films diélectriques (31, 32) et de la couche adhésive (33).
(JA)【課題】絶縁破壊が発生し難い積層構造体及びその製造方法を提供する。 【解決手段】本発明に係る積層構造体は、第1導電層1と第2導電層2との間に誘電体層3を介在させた積層構造体であって、誘電体層3は、第1導電層1と第2導電層2との対向面1a,2aに形成された一対の誘電体膜31,32と、該一対の誘電体膜31,32どうしを接着する接着層33とから構成されている。本発明に係る積層構造体の製造方法は、第1導電層1及び第2導電層2となる一対の金属部材の表面の内、互いに対向することとなる領域にそれぞれ誘電体膜31,32を形成する誘電体膜形成工程と、一対の金属部材に形成された誘電体膜31,32どうしを、これらの間に接着層33を介在させて接着する接着工程とを有し、両誘電体膜31,32と接着層33とによって誘電体層3が構成される。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)