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1. (WO2010137458) SEMICONDUCTOR OPTICAL MODULATOR AND SEMICONDUCTOR MACH-ZEHNDER OPTICAL MODULATOR
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2010/137458    International Application No.:    PCT/JP2010/058010
Publication Date: 02.12.2010 International Filing Date: 12.05.2010
IPC:
G02F 1/017 (2006.01), G02F 1/025 (2006.01)
Applicants: NEC Corporation [JP/JP]; 7-1, Shiba 5-chome, Minato-ku, Tokyo 1088001 (JP) (For All Designated States Except US).
SATO Kenji [JP/JP]; (JP) (For US Only).
KATOU Tomoaki [JP/JP]; (JP) (For US Only)
Inventors: SATO Kenji; (JP).
KATOU Tomoaki; (JP)
Agent: TSUJIMARU Koichiro; 301, Bldg. 1, Kyoto Research Park, 134, Chudoji Minami-machi, Shimogyo-ku, Kyoto-shi, Kyoto 6008813 (JP)
Priority Data:
2009-128340 27.05.2009 JP
Title (EN) SEMICONDUCTOR OPTICAL MODULATOR AND SEMICONDUCTOR MACH-ZEHNDER OPTICAL MODULATOR
(FR) MODULATEUR OPTIQUE À SEMI-CONDUCTEUR ET MODULATEUR OPTIQUE DE MACH-ZEHNDER À SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 半導体光変調器および半導体マッハツェンダー型光変調器
Abstract: front page image
(EN)Disclosed are highly efficient and highly reliable semiconductor optical modulator and semiconductor Mach-Zehnder optical modulator. Specifically disclosed is a semiconductor optical modulator (10) which is characterized by having a waveguide structure in which a first n-type cladding layer (12), a semiconductor optical modulation layer (13), a p-type cladding layer (14) and a second n-type cladding layer (15) are laminated on a substrate (11) in this order, and by additionally having an insulating protective film (19) and an electric field-moderating layer (16). The semiconductor optical modulator (10) is also characterized in that the insulating protective film (19) is arranged on the lateral surface of the waveguide structure, the p-type cladding layer (14) and the second n-type cladding layer (15) are laminated with the electric field-moderating layer (16) interposed therebetween, and the impurity concentration of the electric field-moderating layer (16) is lower than the impurity concentration of the p-type cladding layer (14) and the impurity concentration of the second n-type cladding layer (15).
(FR)L'invention porte sur un modulateur optique à semi-conducteur et sur un modulateur optique de Mach-Zehnder à semi-conducteur hautement fiables et hautement efficaces. L'invention porte de manière spécifique sur un modulateur optique à semi-conducteur (10) qui est caractérisé en ce qu'il a une structure de guide d'onde dans laquelle une première couche de revêtement de type n (12), une couche de modulation optique à semi-conducteur (13), une couche de revêtement de type p (14) et une seconde couche de revêtement de type n (15) sont stratifiées sur un substrat (11) dans cet ordre, et en ce qu'il a de plus un film protecteur isolant (19) et une couche de modération de champ électrique (16). Le modulateur optique à semi-conducteur (10) est également caractérisé en ce que le film protecteur isolant (19) est disposé sur la surface latérale de la structure de guide d'onde, la couche de revêtement de type p (14) et la seconde couche de revêtement de type n (15) sont stratifiées avec la couche de modération de champ électrique (16) interposée entre celles-ci, et la concentration en impuretés de la couche de modération de champ électrique (16) est inférieure à la concentration en impuretés de la couche de revêtement de type p (15) et à la concentration en impuretés de la seconde couche de revêtement de type n (15).
(JA) 高効率で、かつ信頼性の高い半導体光変調器および半導体マッハツェンダー型光変調器を提供する。 本発明の半導体光変調器10は、基板11上に、第1のn型クラッド層12と、半導体光変調層13と、p型クラッド層14と、第2のn型クラッド層15とが、前記順序で積層された導波路構造を有し、さらに、絶縁保護膜19および電界緩和層16を有し、前記導波路構造の側面には、前記絶縁保護膜19が配置され、前記p型クラッド層14と前記第2のn型クラッド層15とが、前記電界緩和層16を介して積層されており、前記電界緩和層16の不純物濃度が、前記p型クラッド層14の不純物濃度および前記第2のn型クラッド層15の不純物濃度より低いことを特徴とする。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)