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1. (WO2010137431) POLYCRYSTALLINE WAFER INSPECTION METHOD
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2010/137431    International Application No.:    PCT/JP2010/057094
Publication Date: 02.12.2010 International Filing Date: 21.04.2010
IPC:
G01N 21/95 (2006.01), G01N 21/956 (2006.01), H01L 21/66 (2006.01), H01L 31/04 (2006.01)
Applicants: LOSSEV TECHNOLOGY CORPORATION [JP/JP]; 662-1, Nojiri, Nanto-shi, Toyama 9391502 (JP) (For All Designated States Except US).
MATSUO Takayuki; (For US Only)
Inventors: MATSUO Takayuki;
Agent: NAITO Teruo; Shin-Ei Patent Firm, Toranomon East Bldg. 8F, 7-13, Nishi-Shimbashi 1-chome, Minato-ku, Tokyo 1050003 (JP)
Priority Data:
2009-130725 29.05.2009 JP
2009-186304 11.08.2009 JP
Title (EN) POLYCRYSTALLINE WAFER INSPECTION METHOD
(FR) PROCÉDÉ D'INSPECTION DE PLAQUETTE POLYCRISTALLINE
(JA) 多結晶ウエハの検査方法
Abstract: front page image
(EN)A polycrystalline wafer inspection method has steps of: irradiating infrared light (3) toward an illumination position (P1) on a polycrystalline wafer (1) from a light source (2) arranged so that the optical axis passes by the illumination position (P1); photographing, by a camera (6) for photographing a photographing position (P2) on the polycrystalline wafer (1) separated a predetermined distance (D) from the illumination position (P1) in a surface direction of the polycrystalline wafer (1), the infrared light (3) being incident from the illumination position (P1), repeating reflection and refraction at crystal grain boundaries and defects inside the polycrystalline wafer (1), and exiting from the photographing position (P2); detecting defects in the polycrystalline wafer (1) from the brightness difference between a defect-free portion and a defect portion on a photographed image obtained by the camera (6). This inspection method makes it possible to obtain a photographed image including a light crystal pattern of the polycrystalline wafer (1) and therefore capable of clearly identifying the presence of defects and to easily and reliably detect the defects.
(FR)Le procédé d'inspection de plaquette polycristalline comprend: une étape d'irradiation dans laquelle un rayon infrarouge (3) est émis en direction d'une position d'irradiation (P1), située sur la plaquette polycristalline (1), à partir d'une source lumineuse (2) disposée de manière à ce que l'axe optique passe par la position d'irradiation (P1); une étape de saisie d'image dans laquelle les réfractions et les réflexions provenant de la position d'irradiation (P1) se répètent au niveau des joints de grain et des défauts à l'intérieur de la plaquette polycristalline (1), et dans laquelle une caméra (6) qui saisit une position de saisie d'image (P2) saisit le rayon infrarouge (3) émis à partir de à la position de saisie d'image (P2) située sur la plaquette polycristalline (1) espacée de la position d'irradiation (P1) par une distance prédéterminée (D) en direction de la surface de la plaquette polycristalline (1); une étape de détection dans laquelle les défauts à l'intérieur de la plaquette polycristalline (1) sont détectés d'après la différence de clarté entre les parties non défectueuses et les parties défectueuses sur l'image saisie obtenue avec la caméra (6). Selon ce procédé d'inspection de plaquette polycristalline, il est possible d'obtenir une image saisie qui permet d'identifier avec netteté la présence de défaut par la légèreté des motifs cristallins de la plaquette polycristalline (1), et de détecter les défauts de façon simple et sûre.
(JA) 光軸が多結晶ウエハ1上の照射位置P1を通過するように配置された光源2から、赤外線3を照射位置P1に向けて照射する工程と、照射位置P1から入射して多結晶ウエハ1内部の結晶粒界及び欠陥で屈折及び反射を繰り返して、照射位置P1から多結晶ウエハ1の面方向に所定距離D離間した多結晶ウエハ1上の撮影位置P2から出射した赤外線3を、撮影位置P2を撮影するカメラ6で撮影する工程と、カメラ6で得られた撮影画像上で、無欠陥部分と欠陥部分の明るさの相違から多結晶ウエハ1内の欠陥を検出する工程と、を有する多結晶ウエハの検査方法が提供される。この検査方法によれば、多結晶ウエハ1の結晶模様の淡く、欠陥の存在を明瞭に識別できる撮影画像を得ることができ、容易かつ確実に欠陥の検出をすることができる。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)