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1. (WO2010137279) ACOUSTIC WAVE RESONATOR AND DUPLEXER USING SAME
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2010/137279    International Application No.:    PCT/JP2010/003459
Publication Date: 02.12.2010 International Filing Date: 24.05.2010
IPC:
H03H 9/145 (2006.01)
Applicants: PANASONIC CORPORATION [JP/JP]; 1006, Oaza Kadoma, Kadoma-shi, Osaka 5718501 (JP) (For All Designated States Except US).
NAKANISHI, Hidekazu; (For US Only).
NAKAMURA, Hiroyuki; (For US Only).
TSURUNARI, Tetsuya; (For US Only).
GOTO, Rei; (For US Only).
FUJIWARA, Joji; (For US Only)
Inventors: NAKANISHI, Hidekazu; .
NAKAMURA, Hiroyuki; .
TSURUNARI, Tetsuya; .
GOTO, Rei; .
FUJIWARA, Joji;
Agent: NAITO, Hiroki; c/o Panasonic Corporation, 1006, Oaza Kadoma, Kadoma-shi, Osaka 5718501 (JP)
Priority Data:
2009-127346 27.05.2009 JP
2010-047432 04.03.2010 JP
Title (EN) ACOUSTIC WAVE RESONATOR AND DUPLEXER USING SAME
(FR) RÉSONATEUR À ONDES ACOUSTIQUES ET DUPLEXEUR ASSOCIÉ
(JA) 弾性波共振器と、これを用いたアンテナ共用器
Abstract: front page image
(EN)Disclosed is an acoustic wave resonator that is provided with a piezoelectric body, an IDT electrode that generates acoustic waves at frequency λ, and a dielectric membrane covering the IDT electrode, wherein the IDT electrode includes, in sequence from the outer side, a bus bar electrode region, a dummy electrode region and an IDT cross region, whereby the thickness of the dielectric membrane, over the bus bar electrode region and/or the dummy electrode region, is between 0.1λ and 0.25λ thinner than the thickness of the dielectric membrane over the IDT cross region. By means of this constitution, the acoustic wave resonator suppresses spurious responses that occur in transverse mode.
(FR)La présente invention concerne un résonateur à ondes acoustiques qui est pourvu d'un corps piézoélectrique, d'une électrode IDT qui génère des ondes acoustiques à une fréquence λ, et d'une membrane diélectrique qui recouvre l'électrode IDT. L'électrode IDT comprend, en séquence à partir du côté extérieur, une région électrode de barre omnibus, une région électrode fictive et une région croisée IDT, l'épaisseur de membrane de la membrane diélectrique, qui se trouve par-dessus au moins une parmi la région électrode de barre omnibus et la région électrode fictive, étant entre 0,1 λ et 0,25 λ plus mince que l'épaisseur de membrane de la membrane diélectrique par-dessus la région croisée IDT. Au moyen de cette construction, le résonateur à ondes acoustiques supprime des réponses erronées qui se produisent dans un mode transversal.
(JA) 弾性波共振器は、圧電体と、波長λの弾性波を励振させるIDT電極と、IDT電極を覆うように設けられた誘電体薄膜とを備え、IDT電極は外側から順にバスバー電極領域とダミー電極領域とIDT交差領域とを含み、バスバー電極領域およびダミー電極領域の少なくとも一方の上方における誘電体薄膜の膜厚は、IDT交差領域の上方における誘電体薄膜の膜厚より0.1λ以上0.25λ以下の範囲で薄い。この構成によって、横モードスプリアスの発生を抑制した弾性波共振器を提供する。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)