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1. (WO2010137255) SUBSTRATE FOR COMPOUND SEMICONDUCTOR SOLAR CELL
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2010/137255    International Application No.:    PCT/JP2010/003329
Publication Date: 02.12.2010 International Filing Date: 18.05.2010
IPC:
H01L 31/04 (2006.01)
Applicants: TOYO KOHAN CO., LTD. [JP/JP]; 2-12, Yonbancho, Chiyoda-ku, Tokyo 1028447 (JP) (For All Designated States Except US).
OKAMURA, Hiroshi [JP/JP]; (JP) (For US Only).
YAMANO, Hirofumi [JP/JP]; (JP) (For US Only).
MATSUBARA, Masanobu [JP/JP]; (JP) (For US Only).
NISHIYAMA, Shigeyoshi [JP/JP]; (JP) (For US Only)
Inventors: OKAMURA, Hiroshi; (JP).
YAMANO, Hirofumi; (JP).
MATSUBARA, Masanobu; (JP).
NISHIYAMA, Shigeyoshi; (JP)
Agent: OHTA PATENT OFFICE; New State Manor 356, 23-1, Yoyogi 2-chome, Shibuya-ku, Tokyo 1510053 (JP)
Priority Data:
2009-129610 28.05.2009 JP
Title (EN) SUBSTRATE FOR COMPOUND SEMICONDUCTOR SOLAR CELL
(FR) SUBSTRAT POUR PILE SOLAIRE À SEMI-CONDUCTEURS COMPOSÉS
(JA) 化合物半導体型太陽電池用基板
Abstract: front page image
(EN)Provided is a substrate for a compound semiconductor solar cell, wherein excellent elasticity is maintained even after a high-temperature process is performed for forming a thin film. The substrate for the compound semiconductor solar cell is composed of a steel plate, and has a Cr layer having a coat quantity of 300-8000 mg/m2 on the laminating surface side of the solar cell layer. One specific embodiment of the substrate is a substrate which has a Cr layer having a coat quantity of 500-3000 mg/m2 on the laminating surface side of the solar cell layer and the film-forming temperature of the solar cell layer below 550°C. Another specific embodiment of the substrate is a substrate which has a Cr layer having a coat quantity of 2000-8000 mg/m2 on the laminating surface side of the solar cell layer, and the film-forming temperature of the solar cell layer above 800°C. Another specific embodiment of the substrate is a substrate which has a Cr layer having a coat quantity of 2000-5000 mg/m2 on the laminating surface side of the solar cell layer, and the film-forming temperature of the solar cell layer within the range of 550-800°C. Furthermore, the substrate is characterized in that the Mn component in the steel strip is 2 wt% or less, and that the Fe component in the steel strip is 98 wt% or less.
(FR)La présente invention se rapporte à un substrat pour pile solaire à semi-conducteurs composés dans lequel une excellente élasticité est maintenue même après qu'un traitement à haute température a été exécuté pour former une couche mince. Le substrat pour la pile solaire à semi-conducteurs composés est composé d'une plaque d'acier, et il comprend une couche de Cr ayant une quantité de revêtement de 300 à 8000 mg/m2 sur le côté de surface de stratification de la couche de la pile solaire. Dans un mode de réalisation spécifique de l'invention, le substrat est un substrat qui comprend une couche de Cr ayant une quantité de revêtement de 500 à 3000 mg/m2 sur le côté de surface de stratification de la couche de la pile solaire et la température de formation de couche mince de la couche de la pile solaire est inférieure à 550 °C. Dans un autre mode de réalisation spécifique de l'invention, le substrat est un substrat qui comprend une couche de Cr ayant une quantité de revêtement de 2000 à 8000 mg/m2 sur le côté de surface de stratification de la couche de la pile solaire et la température de formation de couche mince de la couche de la pile solaire est supérieure à 800 °C. Dans un mode de réalisation spécifique supplémentaire de l'invention, le substrat est un substrat qui comprend une couche de Cr ayant une quantité de revêtement de 2000 à 5000 mg/m2 sur le côté de surface de stratification de la couche de la pile solaire et la température de formation de couche mince de la couche de la pile solaire se situe à l'intérieur d'une plage de 550 à 800 °C. Par ailleurs, le substrat est caractérisé en ce que la composante Mn de la bande d'acier est de 2 % en poids ou moins et en ce que la composante Fe de la bande d'acier est de 98 % en poids ou moins.
(JA)【課題】薄膜形成時の高温プロセス後でも優れた弾性を維持する化合物半導体型太陽電池用の基板を提供する。 【解決手段】化合物半導体型太陽電池用基板は、鋼の板からなり、太陽電池層の積層面側に、被膜量が300~8000mg/mのCr層を有する。また、太陽電池層の積層面側に、被膜量が500~3000mg/mのCr層を有し、太陽電池層の製膜温度が550℃未満のものである。また、太陽電池層の積層面側に、被膜量が2000~8000mg/mのCr層を有し、太陽電池層の製膜温度が800℃超のものである。そして、太陽電池層の積層面側に、被膜量が2000~5000mg/mのCr層を有し、太陽電池層の製膜温度が550℃以上、800℃以下のものである。さらに、鋼帯中のMn成分が2wt%以下であること、Fe成分が98wt%以下であることを特徴とする。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)