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1. (WO2010137167) SEMICONDUCTOR DEVICE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2010/137167    International Application No.:    PCT/JP2009/059886
Publication Date: 02.12.2010 International Filing Date: 29.05.2009
Chapter 2 Demand Filed:    19.10.2009    
IPC:
H01L 21/76 (2006.01), H01L 21/761 (2006.01), H01L 27/04 (2006.01), H01L 27/088 (2006.01), H01L 29/739 (2006.01), H01L 29/78 (2006.01)
Applicants: TOYOTA JIDOSHA KABUSHIKI KAISHA [JP/JP]; 1, Toyota-cho, Toyota-shi, Aichi 4718571 (JP) (For All Designated States Except US).
BAMBA Kosuke [JP/JP]; (JP) (For US Only)
Inventors: BAMBA Kosuke; (JP)
Agent: KAI-U PATENT LAW FIRM; NISSEKI MEIEKI BUILDING 7F, 45-14, Meieki 2-chome, Nakamura-ku, Nagoya-shi, Aichi 4500002 (JP)
Priority Data:
Title (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 半導体装置
Abstract: front page image
(EN)Provided is a semiconductor device capable of suppressing an electric current flowing between a first insulated gate semiconductor element and a second insulated gate semiconductor element and being manufactured in a general manufacturing process with high manufacturing efficiency. The semiconductor device is provided with a semiconductor substrate in which the first insulated gate semiconductor element and the second insulated gate semiconductor element are formed.  A high-concentration region is formed in a region facing a first surface of the semiconductor substrate between a body region of the first insulated gate semiconductor element and a body region of the second insulated gate semiconductor element.  The first conductivity-type impurity concentration of high-concentration region is higher than those of a drift region of the first insulated gate semiconductor element and a drift region of the second insulated gate semiconductor element.
(FR)L'invention porte sur un dispositif à semi-conducteur capable de supprimer un courant électrique circulant entre un premier élément à semi-conducteur à grille isolée et un second élément à semi-conducteur à grille isolée, et fabriqué dans un processus de fabrication général avec un haut rendement de fabrication. Le dispositif à semi-conducteur comprend un substrat semi-conducteur dans lequel le premier élément à semi-conducteur à grille isolée et le second élément à semi-conducteur à grille isolée sont formés. Une région à concentration élevée est formée dans une région faisant face à une première surface du substrat semi-conducteur entre une région de corps du premier élément à semi-conducteur à grille isolée et une région de corps du second élément à semi-conducteur à grille isolée. La concentration en impureté du premier type de conductivité de la région à concentration élevée est supérieure à celle d'une région de migration du premier élément à semi-conducteur à grille isolée et d'une région de migration du second élément à semi-conducteur à grille isolée.
(JA) 本明細書は、第1の絶縁ゲート型半導体素子と第2の絶縁ゲート型半導体素子の間に流れる電流を抑制できるとともに、一般的な製造工程で製造可能であり、高い製造効率で製造することができる半導体装置を提供する。 第1の絶縁ゲート型半導体素子と、第2の絶縁ゲート型半導体素子が形成されている半導体基板を備えた半導体装置。第1の絶縁ゲート型半導体素子のボディ領域と第2の絶縁ゲート型半導体素子のボディ領域の間の半導体基板の第1表面に臨む領域に、高濃度領域が形成されている。高濃度領域は、第1の絶縁ゲート型半導体素子のドリフト領域及び第2の絶縁ゲート型半導体素子のドリフト領域より第1導電型不純物濃度が高い。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)