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1. (WO2010137158) SEMICONDUCTOR DEVICE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2010/137158    International Application No.:    PCT/JP2009/059816
Publication Date: 02.12.2010 International Filing Date: 28.05.2009
Chapter 2 Demand Filed:    16.07.2010    
IPC:
H01L 27/04 (2006.01), H01L 21/00 (2006.01), H01L 21/336 (2006.01), H01L 21/76 (2006.01), H01L 27/088 (2006.01), H01L 29/78 (2006.01)
Applicants: TOYOTA JIDOSHA KABUSHIKI KAISHA [JP/JP]; 1, Toyota-cho, Toyota-shi, Aichi 4718571 (JP) (For All Designated States Except US).
KABUSHIKI KAISHA TOYOTA CHUO KENKYUSHO [JP/JP]; 41-1, Aza Yokomichi, Oaza Nagakute, Nagakute-cho, Aichi-gun, Aichi 4801192 (JP) (For All Designated States Except US).
TAKAYA Hidefumi [JP/JP]; (JP) (For US Only).
HAMADA Kimimori [JP/JP]; (JP) (For US Only).
NISHIBE Yuji [JP/JP]; (JP) (For US Only)
Inventors: TAKAYA Hidefumi; (JP).
HAMADA Kimimori; (JP).
NISHIBE Yuji; (JP)
Agent: KAI-U PATENT LAW FIRM; NISSEKI MEIEKI BUILDING 7F, 45-14, Meieki 2-chome, Nakamura-ku, Nagoya-shi, Aichi 4500002 (JP)
Priority Data:
Title (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEURS
(JA) 半導体装置
Abstract: front page image
(EN)Provided is a semiconductor device capable of precisely sensing an electric current by reducing the temperature-induced fluctuation rate of the current sense ratio, wherein when the rate of temperature change of the resistance of an i-th (i=1 ~ n) semiconductor layer of a main element region is taken as RMi, the resistance ratio of the i-th semiconductor layer of the main element region to the entire semiconductor region of the main element region is taken as KMi, the rate of temperature change of the resistance of an i-th semiconductor layer of a sense element region is taken as RSi, and the resistance ratio of the i-th semiconductor layer of the sense element region to the entire semiconductor region of the sense element region is taken as KSi, at least one of the thickness or impurity concentration of each of the semiconductor layers is adjusted so that the value calculated by formula is less than a predetermined value.
(FR)L'invention porte sur un dispositif à semi-conducteurs capable de détecter précisément un courant électrique par réduction de la vitesse de fluctuation induite par la température du rapport de détection de courant. Si la vitesse de variation, en fonction de la température, de la résistance d'une i-ième (i = 1 ~ n) couche semi-conductrice d'une région d'élément principal est notée RMi, le rapport de résistance de la i-ième couche semi-conductrice de la région d'élément principal sur celle de la région semi-conductrice entière de la région d'élément principal est notée KMi, la vitesse de variation, en fonction de la température, de la résistance d'une i-ième couche semi-conductrice d'une région d'élément de détection est notée RSi et le rapport de résistance de la i-ième couche semi-conductrice de la région d'élément de détection sur celle de la région semi-conductrice entière de la région d'élément de détection est noté KSi, alors au moins une de l'épaisseur et de la concentration en impuretés de chacune des couches semi-conductrices est ajustée de telle manière que la valeur calculée par la formule est inférieure à une valeur prédéterminée.
(JA) 本明細書は、電流センス比の温度変動率を小さくし、電流を精度良く検出することができる半導体装置を提供する。 この半導体装置は、メイン素子領域の第i番目(i=1~n)の半導体層の抵抗の温度変化率をRMiとし、メイン素子領域の半導体領域全体に対するメイン素子領域の第i番目の半導体層の抵抗比率をkMiとし、センス素子領域の第i番目の半導体層の抵抗の温度変化率をRSiとし、センス素子領域の半導体領域全体に対するセンス素子領域の第i番目の半導体層の抵抗比率をkSiとしたときに、下記の式で算出される値が所定値未満となるように、各半導体層の厚みと不純物濃度の少なくとも一方が調整されている。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)