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1. (WO2010136834) METHOD OF REALIZATION OF HYPERCONDUCTIVITY AND SUPER THERMAL CONDUCTIVITY
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2010/136834    International Application No.:    PCT/IB2009/005723
Publication Date: 02.12.2010 International Filing Date: 26.05.2009
IPC:
H01L 39/00 (2006.01)
Applicants: VDOVENKOV, Vyacheslav Andreevich [RU/RU]; (RU)
Inventors: VDOVENKOV, Vyacheslav Andreevich; (RU)
Priority Data:
Title (EN) METHOD OF REALIZATION OF HYPERCONDUCTIVITY AND SUPER THERMAL CONDUCTIVITY
(FR) PROCÉDÉ D'OBTENTION D'HYPER CONDUCTIVITÉ ET DE SUPRACONDUCTIVITÉ THERMIQUE
Abstract: front page image
(EN)The application relates to electricity, electro-physics and thermo conductivity of materials, to the phenomena of zero electric resistance, i.e. to hyperconductivity (superconductivity) and zero thermal resistance, i.e. to superthermoconductivity of materials at near-room and higher temperatures. The matter: on the surface of in the volume of non-degenerate or poorly degenerate semiconductor material or layer of such material on semi-insulating or dielectric substrate the electrodes are located forming rectifying contacts to the material. The distance between the electrodes (D) is chosen much smaller comparing to the depth of penetration into the material of the electric field caused by their contact difference of potentials (L), (D<MIN = 20 nanometers, maximum distance between the electrodes DMAX = 30 micrometers. Before, after or during forming of the gap having width D between the electrodes, electron-vibration centers (EVCs) are inputted into the material having concentration (N) from 2-1012 cm-3 to 6-1017 cm-3. Temperature of the material is brought to the temperature of hyperconductivity transition (Th) or higher. The technical result: possibility to achieve the said effect of hyperconductivity (superconductivity) and zero thermal resistance, i.e. to superthermoconductivity at the temperatures above Th and possibility to adjust the value of Th.
(FR)L'invention concerne l'électricité, l'électro-physique et la conductivité thermique des matériaux, les phénomènes de résistance électrique nulle, c'est-à-dire l'hyper conductivité (supraconductivité), et de résistance thermique nulle, c'est-à-dire la supraconductivité thermique, de matériaux à des températures proches de la température ambiante et supérieures à celle-ci. Sur la surface ou dans le volume d'un matériau semi-conducteur non dégénéré ou faiblement dégénéré, ou d'une couche d'un tel matériau sur un substrat semi isolant ou diélectrique, les électrodes sont placées formant des contacts redresseurs sur le matériau. La distance entre les électrodes (D) est choisie beaucoup plus petite que la profondeur de pénétration dans le matériau du champ électrique créé par la différence de potentiel de leurs contacts (L), (D << L). Une distance minimale entre les électrodes est DMIN = 20 nanomètres, une distance maximale entre les électrodes est DMAX = 30 micromètres. Avant, après ou pendant la formation de l'espace dont une largeur D est entre les électrodes, des centres de vibration d'électron (EVC) sont introduits dans le matériau ayant une concentration (N) allant de 2-1012 cm-3 à 6-1017 cm-3. Une température du matériau est amenée à la température de transition d'hyper conductivité (Th) ou à une température supérieure. Par conséquent, il est possible d'atteindre ledit effet d'hyper conductivité (supraconductivité) et de résistance thermique nulle, c'est-à-dire de supraconductivité thermique, aux températures supérieures à Th et possible d'ajuster la valeur de Th.
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Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)