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1. (WO2010123875) PROCESSES AND AN APPARATUS FOR MANUFACTURING HIGH PURITY POLYSILICON
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.: WO/2010/123875 International Application No.: PCT/US2010/031720
Publication Date: 28.10.2010 International Filing Date: 20.04.2010
IPC:
C01B 33/00 (2006.01) ,B01J 8/24 (2006.01)
Applicants: FIESELMANN, Ben[US/US]; US (UsOnly)
MIXON, David[US/US]; US (UsOnly)
TSUO, York[US/US]; US (UsOnly)
AE POLYSILICON CORPORATION[US/US]; 150 Roebling Road Fairless Hills, PA 19030, US (AllExceptUS)
Inventors: FIESELMANN, Ben; US
MIXON, David; US
TSUO, York; US
Agent: SCHINDLER, Barry, J.; Greenberg Traurig, LLP Met Life Building 200 Park Avenue New York, NY 10166, US
Priority Data:
61/170,96220.04.2009US
61/170,98320.04.2009US
Title (EN) PROCESSES AND AN APPARATUS FOR MANUFACTURING HIGH PURITY POLYSILICON
(FR) PROCÉDÉS ET APPAREIL POUR PRÉPARER UN POLYSILICIUM DE HAUTE PURETÉ
Abstract: front page image
(EN) In one embodiment, a method includes feeding at least one silicon source gas and polysilicon silicon seeds into a reaction zone; maintaining the at least one silicon source gas at a sufficient temperature and residence time within the reaction zone so that a reaction equilibrium of a thermal decomposition of the at least one silicon source gas is substantially reached within the reaction zone to produce an elemental silicon; wherein the decomposition of the at least one silicon source gas proceeds by the following chemical reaction: 4HSiCl3 ^- -> Si + 3SiCl4 + 2H2, wherein the sufficient temperature is a temperature range between about 600 degrees Celsius and about 1000 degrees Celsius; and c) maintaining a sufficient amount of the polysilicon silicon seeds in the reaction zone so as to result in the elemental silicon being deposited onto the polysilicon silicon seeds to produce coated particles.
(FR) L'invention porte, dans un mode de réalisation, sur un procédé de préparation d'un polysilicium haute pureté. Le procédé consiste à introduire au moins un gaz source de silicium et de germes silicium de polysilicium dans une zone de réaction ; maintenir au moins un gaz source de silicium à une température suffisante et pendant un temps de séjour suffisant à l'intérieur de la zone de réaction de façon à ce qu'un équilibre réactionnel d'une décomposition thermique du ou des gaz sources de silicium soit essentiellement atteint à l'intérieur de la zone de réaction pour produire un silicium élémentaire, la décomposition du ou des gaz sources de silicium se déroulant suivant la réaction chimique suivante : 4HSiCl3^-->Si + 3SiCl4 + 2H2, la température suffisante correspondant à une plage de température entre environ 600 degrés Celsius et environ 1000 degrés Celsius ; et c) maintenir une quantité des germes silicium de polysilicium dans la zone de réaction, suffisante pour conduire à un dépôt de silicium élémentaire sur les germes silicium de polysilicium, dans le but de produire des particules enrobées.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
African Regional Intellectual Property Organization (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Office (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)