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1. (WO2010123707) ENHANCED SCAVENGING OF RESIDUAL FLUORINE RADICALS USING SILICON COATING ON PROCESS CHAMBER WALLS
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2010/123707    International Application No.:    PCT/US2010/030700
Publication Date: 28.10.2010 International Filing Date: 12.04.2010
IPC:
H01L 21/265 (2006.01)
Applicants: APPLIED MATERIALS, INC. [US/US]; 3050 Bowers Avenue Santa Clara, California 95054 (US) (For All Designated States Except US).
CHOI, Dongwon [KR/US]; (US) (For US Only).
LEE, Dong Hyung [KR/KR]; (KR) (For US Only).
POON, Tze [US/US]; (US) (For US Only).
VELLAIKAL, Manoj [US/US]; (US) (For US Only).
PORSHNEV, Peter [BY/US]; (US) (For US Only).
FOAD, Majeed [GB/US]; (US) (For US Only)
Inventors: CHOI, Dongwon; (US).
LEE, Dong Hyung; (KR).
POON, Tze; (US).
VELLAIKAL, Manoj; (US).
PORSHNEV, Peter; (US).
FOAD, Majeed; (US)
Agent: TABOADA, Alan; Moser IP Law Group 1030 Broad Street Suite 203 Shrewsbury, NJ 07702 (US)
Priority Data:
61/170,879 20.04.2009 US
12/758,167 12.04.2010 US
Title (EN) ENHANCED SCAVENGING OF RESIDUAL FLUORINE RADICALS USING SILICON COATING ON PROCESS CHAMBER WALLS
(FR) PIÉGEAGE ACCRU DE RADICAUX DE FLUOR RÉSIDUELS À L'AIDE D'UN REVÊTEMENT CONTENANT DU SILICIUM SUR DES PAROIS DE CHAMBRE DE TRAITEMENT
Abstract: front page image
(EN)Methods and apparatus for processing a substrate are provided herein. In some embodiments, an apparatus for substrate processing includes a process chamber having a chamber body defining an inner volume; and a silicon containing coating disposed on an interior surface of the chamber body, wherein an outer surface of the silicon containing coating is at least 35 percent silicon (Si) by atom. In some embodiments, a method for forming a silicon containing coating in a process chamber includes providing a first process gas comprising a silicon containing gas to an inner volume of the process chamber; and forming a silicon containing coating on an interior surface of the process chamber, wherein an outer surface of the silicon containing coating is at least 35 percent silicon.
(FR)La présente invention concerne des procédés et un appareil permettant de traiter un substrat. Dans certains modes de réalisation, un appareil de traitement de substrat comprend une chambre de traitement ayant un corps de chambre définissant un volume intérieur ; et un revêtement contenant du silicium disposé sur une surface intérieure du corps de chambre, une surface externe du revêtement contenant du silicium étant au moins 35 pour cent de silicium (Si) par atome. Dans certains modes de réalisation, un procédé de formation d'un revêtement contenant du silicium dans une chambre de traitement consiste à introduire un premier gaz de traitement comprenant un gaz contenant du silicium dans un volume intérieur de la chambre de traitement ; et à former un revêtement contenant du silicium sur une surface intérieure de la chambre de traitement, une surface externe du revêtement contenant du silicium étant au moins 35 pour cent de silicium.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)