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1. (WO2010123657) WRITE METHOD OF A CROSS POINT NON-VOLATILE MEMORY CELL WITH DIODE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2010/123657    International Application No.:    PCT/US2010/029186
Publication Date: 28.10.2010 International Filing Date: 30.03.2010
IPC:
G11C 13/00 (2006.01)
Applicants: SANDISK 3D LLC [US/US]; 601 Mccarthy Boulevard Milpitas, CA 95035 (US) (For All Designated States Except US).
SCHEUERLEIN, Roy, E. [US/US]; (US) (For US Only)
Inventors: SCHEUERLEIN, Roy, E.; (US)
Agent: MAGEN, Burt; Vierra Magen Marcus & Deniro, LLP 575 Market Street, Suite 2500 San Francisco, CA 94105 (US)
Priority Data:
12/418,191 03.04.2009 US
Title (EN) WRITE METHOD OF A CROSS POINT NON-VOLATILE MEMORY CELL WITH DIODE
(FR) PROCÉDÉ D'ÉCRITURE D'UNE CELLULE DE MÉMOIRE NON VOLATILE À POINT DE CROISEMENT COMPRENANT UNE DIODE
Abstract: front page image
(EN)A memory system includes an X line, a first Y line, a second Y line, a semiconductor region of a first type running along the X line, first switching material and a first semiconductor region of a second type between the first Y line and the semiconductor region of the first type, second switching material and a second semiconductor region of the second type between the second Y line and the semiconductor region of the first type, and control circuitry. The control circuitry is in communication with the X line, the first Y line and the second Y line. The control circuitry changes the programming state of the first switching material to a first state by causing a first current to flow from the second Y line to the first Y line through the first switching material, the second switching material, the semiconductor region of the first type, the first semiconductor region of the second type and the second semiconductor region of the second type.
(FR)La présente invention concerne un système de mémoire qui comprend une ligne X, une première ligne Y, une seconde ligne Y, une région à semi-conducteurs d'un premier type courant le long de la ligne X, un premier matériau de commutation et une première région à semi-conducteurs d'un second type entre la première ligne Y et la région à semi-conducteurs du premier type, un second matériau de commutation et une seconde région à semi-conducteurs du second type entre la seconde ligne Y et la région à semi-conducteurs du premier type, ainsi qu'un circuit de commande. Le circuit de commande est en communication avec la ligne X, la première ligne Y et la seconde ligne Y. Le circuit de commande change l'état de programmation du premier matériau de commutation en un premier état en amenant un premier courant à circuler de la seconde ligne Y vers la première ligne Y par le biais du premier matériau de commutation, du second matériau de commutation, de la région à semi-conducteurs du premier type, de la première région à semi-conducteurs du second type et de la seconde région à semi-conducteurs du second type.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)