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1. (WO2010123517) MEMORY SYSTEM WITH DATA LINE SWITCHING SCHEME
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2010/123517    International Application No.:    PCT/US2009/058889
Publication Date: 28.10.2010 International Filing Date: 29.09.2009
IPC:
G11C 8/12 (2006.01), G11C 13/00 (2006.01)
Applicants: SANDISK 3D LLC [US/US]; 601 McCarthy Boulevard Milpitas, CA 95035 (US) (For All Designated States Except US).
YAN, Tianhong [US/US]; (US) (For US Only).
FASOLI, Luca [IT/US]; (US) (For US Only)
Inventors: YAN, Tianhong; (US).
FASOLI, Luca; (US)
Agent: MAGEN, Burt; Vierra Magen Marcus & DeNiro, LLP Suite 2500 575 Market Street San Francisco, CA 94105 (US)
Priority Data:
61/171,022 20.04.2009 US
12/563,139 20.09.2009 US
Title (EN) MEMORY SYSTEM WITH DATA LINE SWITCHING SCHEME
(FR) SYSTÈME DE MÉMOIRE À SCHÉMA DE COMMUTATION DE LIGNE DE DONNÉES
Abstract: front page image
(EN)A storage system includes a three-dimensional memory array that has multiple layers of non-volatile storage elements grouped into blocks. Each block includes a subset of first selection circuits for selectively coupling a subset of array lines (e.g. bit lines) of a first type to respective local data lines. Each block includes a subset of second selection circuits for selectively coupling a subset of the respective local data lines to global data lines that are connected to control circuitry. To increase the performance of memory operations, the second selections circuits can change their selections independently of each other. For example, a memory operation is performed concurrently on a first non-volatile storage element of each group of a plurality of groups of non-volatile storage elements. Completion of the memory operation for the first non-volatile storage element of each group is independently detected. A memory operation on a second non-volatile storage element of each group is independently commenced for each group upon independently detecting completion of the memory operation for the first non-volatile storage element of the respective group.
(FR)Un système de stockage comprend une matrice mémoire tridimensionnelle qui a de multiples couches d'éléments de stockage non volatils groupés en blocs. Chaque bloc comprend un sous-ensemble de premiers circuits de sélection pour coupler de manière sélective un sous-ensemble de lignes de matrice (par exemple, des lignes de bit) d'un premier type à des lignes de données locales respectives. Chaque bloc comprend un sous-ensemble de seconds circuits de sélection pour coupler de manière sélective un sous-ensemble des lignes de données locales respectives à des lignes de données globales qui sont connectées à des éléments de circuit de commande. Pour augmenter la performance des opérations mémoire, les seconds circuits de sélection peuvent changer leurs sélections indépendamment les uns des autres. Par exemple, une opération mémoire est réalisée de manière simultanée sur un premier élément de stockage non volatil de chaque groupe d'une pluralité de groupes d'éléments de stockage non volatils. Un achèvement de l'opération mémoire pour le premier élément de stockage non volatil de chaque groupe est détecté de manière indépendante. Une opération mémoire sur un second élément de stockage non volatil de chaque groupe est commencée de manière indépendante pour chaque groupe lors de la détection indépendante de l'achèvement de l'opération mémoire pour le premier élément de stockage non volatil du groupe respectif.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)