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1. (WO2010123165) METHOD OF FABRICATING SUBSTRATE WHERE PATTERNS ARE FORMED
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2010/123165    International Application No.:    PCT/KR2009/002154
Publication Date: 28.10.2010 International Filing Date: 24.04.2009
IPC:
H01L 33/20 (2010.01)
Applicants: SNU R&DB FOUNDATION [KR/KR]; San56-1, Sillim-dong Gwanak-gu Seoul 151-010 (KR) (For All Designated States Except US).
YOON, Euijoon [KR/KR]; (KR) (For US Only).
KWON, Sung-Hoon [KR/KR]; (KR) (For US Only)
Inventors: YOON, Euijoon; (KR).
KWON, Sung-Hoon; (KR)
Agent: SONG, Kyeong-Keun; 3rd Floor, Wealth Building 1621-25 Seocho-dong, Seocho-gu Seoul 137-878 (KR)
Priority Data:
Title (EN) METHOD OF FABRICATING SUBSTRATE WHERE PATTERNS ARE FORMED
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN SUBSTRAT OÙ DES MOTIFS SONT FORMÉS
Abstract: front page image
(EN)Provided is a method of fabricating a substrate where patterns are formed, the method including: forming first bonding agent patterns having selective cohesion in a position in which oxide bead patterns are to be formed on a substrate; coating a second bonding agent having larger cohesion with the first bonding agent than cohesion with the substrate, on a plurality of oxide beads, applying the oxide beads, on which the second bonding agent is coated, to the substrate and forming the oxide beads, on which the second bonding agent is coated, on the first bonding agent patterns; and thermally processing the substrate. A plurality of low-priced oxide beads can be patterned on a substrate to have a desired shape so that damages can be prevented from occurring in the substrate during dry etching, and an etching process is not performed so that a yield of a device is not reduced and mass production of the device increases. In addition, a high-priced equipment for dry etching is not needed so that the method of fabricating the substrate is economical and high productivity in which large quantities of substrates are fabricated within a short time is achieved.
(FR)L'invention porte sur un procédé de fabrication d'un substrat où des motifs sont formés, le procédé comprenant : la formation de premiers motifs d'agent de liaison ayant une cohésion sélective dans une position dans laquelle des motifs de billes d'oxydes doivent être formés sur le substrat ; le dépôt en revêtement d'un second agent de liaison ayant une cohésion plus grande avec le premier agent de liaison que la cohésion avec le substrat, sur une pluralité de billes d'oxyde, l'application des billes d'oxyde, sur lesquelles le second agent de liaison est déposé en revêtement, sur le substrat et la formation des billes d'oxyde, sur lesquelles le second agent de liaison est déposé en revêtement, sur les premiers motifs d'agent de liaison ; et le traitement thermique du substrat. On peut former des motifs sur une pluralité de billes d'oxyde à bas prix sur un substrat ayant une forme souhaitée de telle sorte que des endommagements peuvent être empêchés de se produire dans le substrat pendant une gravure au plasma et un traitement de gravure n'est pas réalisé de telle sorte qu'un rendement d'un dispositif n'est pas réduit et qu'une production de masse dudit positif augmente. En outre, un équipement à prix élevé pour une gravure au plasma n'est pas nécessaire de telle sorte que le procédé de fabrication du substrat est économique et qu'une productivité élevée dans laquelle de grandes quantités de substrats sont fabriquées dans un temps court est obtenue.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)