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1. (WO2010123004) VACUUM DEPOSITION SYSTEM AND VACUUM DEPOSITION METHOD
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.: WO/2010/123004 International Application No.: PCT/JP2010/057011
Publication Date: 28.10.2010 International Filing Date: 20.04.2010
IPC:
C23C 14/24 (2006.01) ,H01M 4/1395 (2010.01)
Applicants: SHIMADA, Tetsuya[JP/JP]; JP (UsOnly)
HIDA, Masanori[JP/JP]; JP (UsOnly)
ODAGI, Hideyuki[JP/JP]; JP (UsOnly)
MIKAMI, Shun[JP/JP]; JP (UsOnly)
AODAI, Makoto[JP/JP]; JP (UsOnly)
KURAUCHI Toshiharu[JP/JP]; JP (UsOnly)
ULVAC, INC.[JP/JP]; 2500, Hagisono, Chigasaki-shi, Kanagawa 2538543, JP (AllExceptUS)
Inventors: SHIMADA, Tetsuya; JP
HIDA, Masanori; JP
ODAGI, Hideyuki; JP
MIKAMI, Shun; JP
AODAI, Makoto; JP
KURAUCHI Toshiharu; JP
Agent: ABE, Hideki; Toranomonkougyou Bldg., 3F, 1-2-18, Toranomon, Minato-ku, Tokyo 1050001, JP
Priority Data:
2009-10343121.04.2009JP
Title (EN) VACUUM DEPOSITION SYSTEM AND VACUUM DEPOSITION METHOD
(FR) SYSTÈME DE DÉPÔT SOUS VIDE ET PROCÉDÉ DE DÉPÔT SOUS VIDE
(JA) 真空蒸着システム及び真空蒸着方法
Abstract: front page image
(EN) Provided is a technology which uses an apparatus having a simple configuration to efficiently form a film having uniform film thickness and film qualities, when continuously forming a film using highly reactive lithium by means of vapor deposition. A vacuum deposition system has: a vacuum deposition chamber (2) wherein an evaporation material (10) is deposited on a substrate (50) by means of deposition; a substrate supplying/replacing system (3), which is connected to the vacuum deposition chamber (2) and supplies the substrate (50) to the vacuum deposition chamber (2) and replaces the substrate between the vacuum deposition chamber and the substrate supplying/replacing system; and a material supplying/replacing system (4), which supplies the evaporation material (10) to the vacuum deposition chamber (2) and replaces the evaporation material between the vacuum deposition chamber and the material supplying/replacing system. The material supplying/replacing system (4) is provided with: a material loading chamber (45) wherein the evaporation material (10) is disposed in an evaporation container (7) under the atmosphere isolated from ambient air; and a material replacing chamber (43) which transfers the evaporation container (7) to and from the vacuum deposition chamber (2). In the vacuum deposition chamber (2), a heater (22) for heating the evaporation container (7) supplied from the material supplying/replacing system (4) is provided.
(FR) L'invention porte sur une technologie de formation efficace d'un film ayant une épaisseur de film uniforme et des qualités de film uniformes, à l'aide d'un appareil ayant une configuration simple, dans le cas de la formation continue d'un film à l'aide de lithium hautement réactif par dépôt en phase vapeur. Un système de dépôt sous vide a : une chambre de dépôt sous vide (2), dans laquelle un matériau d'évaporation (10) est déposé sur un substrat (50) par dépôt; un système de délivrance/remplacement de substrat (3), qui est relié à la chambre de dépôt sous vide (2) et qui délivre le substrat (50) à la chambre de dépôt sous vide (2), et qui remplace le substrat entre la chambre de dépôt sous vide et le système de délivrance/remplacement de substrat; et un système de délivrance/remplacement de matériau (4), qui délivre le matériau d'évaporation (10) à la chambre de dépôt sous vide (2), et qui remplace le matériau d'évaporation entre la chambre de dépôt sous vide et le système de délivrance/remplacement de matériau. Le système de délivrance/remplacement de matériau (4) comporte : une chambre de chargement de matériau (45), dans laquelle le matériau d'évaporation (10) est disposé dans un récipient d'évaporation (7) sous l'atmosphère, isolée de l'air ambiant; et une chambre de remplacement de matériau (43), qui transfère le récipient d'évaporation (7) vers la chambre de dépôt sous vide (2) et à partir de celle-ci. Dans la chambre de dépôt sous vide (2), un élément chauffant (22) pour chauffer le récipient d'évaporation (7) délivré à partir du système de délivrance/remplacement de matériau (4) est disposé.
(JA)  本発明は、反応性の高いリチウムを真空蒸着によって連続的に成膜する場合に、膜厚及び膜質の均一な膜を効率良く簡素な構成の装置で形成することができる技術を提供するものである。本発明の真空蒸着システムは、基板50上に蒸発材料10を蒸着によって蒸着する真空蒸着室2と、真空蒸着室2に接続され、真空蒸着室2との間で基板50を供給し、かつ、交換するための基板供給交換系3と、蒸発材料10を真空蒸着室2との間で供給し、かつ、交換するための材料供給交換系4とを有する。材料供給交換系4は、大気に対して遮断された雰囲気中で、蒸発容器7内に蒸発材料10を配置する材料仕込み室45と、真空蒸着室2との間で蒸発容器7を搬送する材料交換室43とが設けられる。真空蒸着室2内には、材料供給交換系4から供給された蒸発容器7を加熱するためのヒータ22が設けられている。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
African Regional Intellectual Property Organization (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Office (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)