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1. (WO2010122993) ELASTIC BOUNDARY WAVE DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2010/122993    International Application No.:    PCT/JP2010/056983
Publication Date: 28.10.2010 International Filing Date: 20.04.2010
IPC:
H03H 9/145 (2006.01), H03H 3/08 (2006.01)
Applicants: MURATA MANUFACTURING CO., LTD. [JP/JP]; 10-1, Higashikotari 1-chome, Nagaokakyo-shi, Kyoto 6178555 (JP) (For All Designated States Except US).
NODAKE, Naohiro [JP/JP]; (JP) (For US Only).
TAKAHASHI, Hideaki [JP/JP]; (JP) (For US Only).
SAIJO, Shin [JP/JP]; (JP) (For US Only)
Inventors: NODAKE, Naohiro; (JP).
TAKAHASHI, Hideaki; (JP).
SAIJO, Shin; (JP)
Agent: MIYAZAKI, Chikara; Chuo Odori FN Bldg., 3-8, Tokiwamachi 1-chome, Chuo-ku, Osalka-shi, Osaka 5400028 (JP)
Priority Data:
2009-103774 22.04.2009 JP
Title (EN) ELASTIC BOUNDARY WAVE DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR
(FR) DISPOSITIF À ONDE INTERFACE ÉLASTIQUE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE CELUI-CI
(JA) 弾性境界波装置及びその製造方法
Abstract: front page image
(EN)Provided is an elastic boundary wave device (1) having a three-medium structure, wherein gaps do not easily form in a first dielectric layer, and the frequency tolerance is low even when using thick IDT electrodes. IDT electrodes (5), a first dielectric layer (3), and a second dielectric layer (4) are formed on top of a piezoelectric substrate (2). The first dielectric layer (3) comprises a deposited film. The thickness of the IDT electrodes is at least 10% of λ. The unevenness of the upper surface of the first dielectric layer (3) is no larger than 5% of λ, said unevenness referring to the difference between: the height, from the upper surface of the piezoelectric substrate, of the first dielectric layer (3) over the center of an electrode finger of the IDT electrode (5); and the height, from the upper surface of the piezoelectric substrate, of the first dielectric layer (3) over the center of an adjacent inter-electrode-finger gap.
(FR)L'invention porte sur un dispositif à onde interface élastique (1) ayant une structure à trois milieux, dans lequel des espaces ne se forment pas facilement dans une première couche diélectrique, et dans lequel la tolérance de fréquence est basse même lors de l'utilisation d'électrodes IDT épaisses. Des électrodes IDT (5), une première couche diélectrique (3) et une seconde couche diélectrique (4) sont formées sur le dessus d'un substrat piézoélectrique (2). La première couche diélectrique (3) comprend un film déposé. L'épaisseur des électrodes IDT est d'au moins 10% de λ. L'irrégularité de la surface supérieure de la première couche diélectrique (3) n'est pas supérieure à 5% de λ, ladite irrégularité se référant à la différence entre : la hauteur, à partir de la surface supérieure du substrat piézoélectrique, de la première couche diélectrique (3) sur le centre d'un doigt d'électrode de l'électrode IDT (5); et la hauteur à partir de la surface supérieure du substrat piézoélectrique, de la première couche diélectrique (3) sur le centre d'un espace inter-doigt d'électrode adjacent.
(JA) 第1の誘電体層に空隙が生じ難く、かつIDT電極の厚みを厚くした場合であっても、周波数公差が小さい三媒質構造の弾性境界波装置を得る。 圧電基板2上にIDT電極5、第1の誘電体層3及び第2の誘電体層4が形成されており、第1の誘電体層3が堆積膜からなり、IDT電極の厚みがλの10%以上であり、IDT電極5の電極指中心上方の第1の誘電体層3の前記圧電基板上面からの高さと、隣り合う電極指間のギャップの中心の上方の第1の誘電体層3の前記圧電基板上面からの高さとの差である第1の誘電体層3の上面の凹凸の大きさがλの5%以下とされている、弾性境界波装置1。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)