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1. (WO2010122953) MEMS ELEMENT AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2010/122953    International Application No.:    PCT/JP2010/056816
Publication Date: 28.10.2010 International Filing Date: 16.04.2010
IPC:
B81B 3/00 (2006.01), B81C 1/00 (2006.01), G01P 15/125 (2006.01)
Applicants: Murata Manufacturing Co., Ltd. [JP/JP]; 10-1, Higashikotari 1-chome, Nagaokakyo-shi, Kyoto 6178555 (JP) (For All Designated States Except US).
YOSHIDA Junichi [JP/JP]; (JP) (For US Only)
Inventors: YOSHIDA Junichi; (JP)
Agent: HIROSE Kazuhiko; 4F., HAP Nishishinjuku Bldg., 1-2, Nishishinjuku 3-chome, Shinjuku-ku, Tokyo 1600023 (JP)
Priority Data:
2009-106774 24.04.2009 JP
Title (EN) MEMS ELEMENT AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME
(FR) ÉLÉMENT DE SYSTÈME MICROÉLECTROMÉCANIQUE ET PROCÉDÉ POUR SA FABRICATION
(JA) MEMS素子およびその製造方法
Abstract: front page image
(EN)An acceleration sensor (1) is formed by using an etching layer (4) sandwiched between first and second substrates (2, 3). At this time, a structural part (A), which is provided with a movable portion (7) that can be displaced in the thickness direction of the substrates (2, 3), and a supporting frame (9) are formed on the etching layer (4). Furthermore, on the first and second substrates (2, 3), first and second fixed electrodes (10, 12) are formed at positions facing the movable portion (7). The substrate (2) is provided with a remaining sacrificial layer (16) which is a remaining portion of a second sacrificial layer (23) obtained when the entire first sacrificial layer (22) is removed by etching. Thus, since the second sacrificial layer (23) is preferentially corroded compared with the structural part (A) and the like at the time of removing the first sacrificial layer (22) by etching, corrosion of the structural part (A) and a supporting beam (9) can be eliminated.
(FR)L'invention porte sur un capteur d'accélération (1), qui est formé à l'aide d'une couche de gravure (4) prise en sandwich entre des premier et second substrats (2, 3). A ce moment, une partie structurelle (A), qui comporte une partie mobile (7) qui peut être déplacée dans la direction de l'épaisseur des substrats (2, 3) et un cadre de support (9), sont formés sur la couche de gravure (4). De plus, sur les premier et second substrats (2, 3), des première et seconde électrodes fixes (10, 12) sont formées en des positions dirigées vers la partie mobile (7). Le substrat (2) comporte une couche sacrificielle restante (16), qui est une partie restante d'une seconde couche sacrificielle (23) obtenue lorsque la totalité de la première couche sacrificielle (22) est retirée par gravure. Par conséquent, étant donné que la seconde couche sacrificielle (23) est corrodée préférentiellement par rapport à la partie structurelle (A), et analogue, au moment du retrait de la première couche sacrificielle (22) par gravure, une corrosion de la partie structurelle (A) et d'une poutre de support (9) peut être éliminée.
(JA) 加速度センサ1を、第1,第2の基板2,3に挟まれたエッチング層4を用いて形成する。このとき、エッチング層4には、基板2,3の厚さ方向に変位可能な可動部7を備えた構造部Aおよび支持枠9を形成する。また、第1,第2の基板2,3には、可動部7と対向した位置に第1,第2の固定電極10,12を形成する。そして、基板2には、第1の犠牲層22を全てエッチング除去したときに、第2の犠牲層23の一部が残存した残存犠牲層16を設ける。これにより、第1の犠牲層22をエッチング除去するときには、構造部A等に比べて第2の犠牲層22が優先的に腐食するから、構造部Aおよび支持梁9の腐食を防止することができる。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)