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1. (WO2010122701) SOI WAFER, METHOD FOR PRODUCING SAME, AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.: WO/2010/122701 International Application No.: PCT/JP2010/001089
Publication Date: 28.10.2010 International Filing Date: 19.02.2010
IPC:
H01L 21/02 (2006.01) ,H01L 21/322 (2006.01) ,H01L 21/336 (2006.01) ,H01L 27/12 (2006.01) ,H01L 27/146 (2006.01) ,H01L 29/786 (2006.01)
Applicants: YONEDA, Kenji; null (UsOnly)
PANASONIC CORPORATION[JP/JP]; 1006, Oaza Kadoma, Kadoma-shi, Osaka 5718501, JP (AllExceptUS)
Inventors: YONEDA, Kenji; null
Agent: NAKAJIMA, Shiro; 6F, Yodogawa 5-Bankan, 2-1, Toyosaki 3-chome, Kita-ku, Osaka-shi, Osaka 5310072, JP
Priority Data:
2009-10406322.04.2009JP
Title (EN) SOI WAFER, METHOD FOR PRODUCING SAME, AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) GALETTE SOI, SON PROCÉDÉ DE FABRICATION, ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR
(JA) SOIウェーハ、その製造方法および半導体装置の製造方法
Abstract: front page image
(EN) Disclosed is an SOI wafer which has a high gettering ability for metal impurities. Specifically disclosed is an SOI water (10) in which a BOX (buried oxide) layer (2) is formed on top of a supporting substrate (1) by thermal oxidation. A gettering layer (3), which is formed from a silicon that contains one of the combinations of oxygen, oxygen and carbon, oxygen and nitrogen, and oxygen, carbon and nitrogen, is formed directly on the BOX layer (2). An S layer (4) that is formed from single crystal silicon is formed directly on the gettering layer (3) for formation of a semiconductor element.
(FR) L'invention porte sur une galette de silicium sur isolant (SOI) possédant une aptitude élevée à l'utilisation comme getter vis-à-vis d'impuretés métalliques. L'invention porte de manière spécifique sur une galette SOI (10) dans laquelle une couche d'oxyde enterrée (BOX) est formée par oxydation thermique sur la partie supérieure d'un substrat de support (1). Une couche de getter (3), formée à partir de silicium contenant l'une des combinaisons d'oxygène, oxygène et carbone, oxygène et azote, et oxygène, carbone et azote, est formée directement sur la couche BOX (2). Une couche S (4) formée à partir de silicium monocristallin est formée directement sur la couche de getter (3) pour réalisation d'un élément semi-conducteur.
(JA)  金属不純物に対して高いゲッタリング能力を有するSOIウェーハを提供することを目的とする。 そのために、SOIウェーハ10において、支持基板1の上部に熱酸化によるBOX層2が形成されている。BOX層2の直上に、酸素、酸素と炭素、酸素と窒素、酸素と炭素と窒素のいずれかの組み合わせを含むシリコンからなるゲッタリング層3が形成され、ゲッタリング層3の直上に、半導体素子を形成するための単結晶シリコンからなるS層4が形成されている。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
African Regional Intellectual Property Organization (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
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European Patent Office (EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)