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1. (WO2010122697) PELLICLE FOR LITHOGRAPHY AND MANUFACTURING METHOD THEREOF
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2010/122697    International Application No.:    PCT/JP2010/000605
Publication Date: 28.10.2010 International Filing Date: 02.02.2010
IPC:
G03F 1/22 (2012.01), G03F 1/24 (2012.01), G03F 1/62 (2012.01), G03F 1/64 (2012.01), H01L 21/027 (2006.01)
Applicants: Shin-Etsu Chemical CO., Ltd [JP/JP]; 6-1, Ohtemachi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1000005 (JP) (For All Designated States Except US).
AKIYAMA, Shoji [JP/JP]; (JP) (For US Only).
KUBOTA, Yoshihiro [JP/JP]; (JP) (For US Only)
Inventors: AKIYAMA, Shoji; (JP).
KUBOTA, Yoshihiro; (JP)
Agent: OHNO, Seiji; OHNO & PARTNERS, Marunouchi Kitaguchi Building 21F, 6-5, Marunouchi 1-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1000005 (JP)
Priority Data:
2009-103628 22.04.2009 JP
Title (EN) PELLICLE FOR LITHOGRAPHY AND MANUFACTURING METHOD THEREOF
(FR) PELLICULE POUR LITHOGRAPHIE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE CELLE-CI
(JA) リソグラフィ用ペリクルおよびその製造方法
Abstract: front page image
(EN)A pellicle for lithography is provided with a pellicle film (10) of monocrystalline silicon which is supported by a support member (20a) having an outer frame portion (20a) and a porous portion (mesh structure) (20b) on an inside area of the outer frame portion (20a). An anti-oxidation film (30a, 30b) is formed to cover the portion of the mono-crystalline silicon film that is externally exposed in order to prevent the surface of the pellicle film (10) form being oxidized. The support member (20) is obtained by processing a handle substrate of an SOI substrate, and the pellicle film (10) of monocrystalline silicon is obtained from an SOI layer of the SOI substrate. As the pellicle film (10) is firmly bonded to the support member (20), a sufficient mechanical strength can be obtained.
(FR)L'invention porte sur une pellicule pour lithographie qui est munie d'un film de pellicule (10) en silicium monocristallin qui est porté par un élément de support (20a) ayant une partie de cadre externe (20a) et une partie poreuse (structure maillée) (20b) sur une zone intérieure de la partie de cadre externe (20a). Un film anti-oxydation (30a, 30b) est formé pour recouvrir la partie du film en silicium monocristallin qui est exposée extérieurement afin d'empêcher la surface du film de pellicule (10) d'être oxydée. L'élément de support (20) est obtenu par traitement d'un substrat de manipulation d'un substrat de silicium sur isolant, et le film de pellicule (10) en silicium monocristallin est obtenu à partir d'une couche de silicium sur isolant du substrat de substrat sur isolant. Etant donné que le film de pellicule (10) est lié fermement à l'élément de support (20), une résistance mécanique suffisante peut être obtenue.
(JA) 本発明のリソグラフィ用ペリクルは、単結晶シリコンのペリクル膜(10)を備えており、当該ペリクル膜(10)は、外枠部(20a)と該外枠部(20a)の内側領域の多孔部(メッシュ構造)(20b)を有する支持部材(20)により支持されている。また、ペリクル膜10の表面の酸化を防止するために、単結晶シリコン膜が外部に露出される部分を被覆する酸化防止膜(30a、30b)が形成されている。支持部材(20)はSOI基板のハンドル基板を加工することにより得られ、単結晶シリコンのペリクル膜(10)はSOI基板のSOI層から得られる。ペリクル膜(10)は支持部材(20)と強固に結合しているから、十分な機械的強度を確保することができる。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)