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1. (WO2010122024) BOTTOM ELECTRODE FOR BULK ACOUSTIC WAVE (BAW) RESONATOR
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2010/122024    International Application No.:    PCT/EP2010/055199
Publication Date: 28.10.2010 International Filing Date: 20.04.2010
IPC:
H03H 9/17 (2006.01), H03H 9/13 (2006.01), H03H 9/02 (2006.01)
Applicants: EPCOS AG [DE/DE]; St.-Martin-Str. 53 81669 München (DE) (For All Designated States Except US).
MARKSTEINER, Stephan [AT/DE]; (DE) (For US Only)
Inventors: MARKSTEINER, Stephan; (DE)
Agent: EPPING HERMANN FISCHER PATENTANWALTSGESELLSCHAFT MBH; Ridlerstraße 55 80339 München (DE)
Priority Data:
10 2009 018 879.7 24.04.2009 DE
Title (DE) BODENELEKTRODE FÜR BULK ACOUSTIC WAVE (BAW) RESONATOR
(EN) BOTTOM ELECTRODE FOR BULK ACOUSTIC WAVE (BAW) RESONATOR
(FR) ELECTRODE DE MASSE POUR RÉSONATEUR À ONDES ACOUSTIQUES DE VOLUME (BAW)
Abstract: front page image
(DE)Für einen BAW Resonator wird vorgeschlagen, eine metallische Schicht (HS1, HS2) des als akustischen Spiegel genutzten Bragg-Reflektors (DS, HS1, NS, HS2) zu nutzen, um die effektive Leitfähigkeit der Bodenelektrode zu verbessern. Dazu wird in einem Verbindungsbereich (VB) ein elektrischer Kontakt zwischen Bodenelektrode (BE) und oberster Hochimpedanzschicht (HS1) des akustischen Spiegels hergestellt und dabei der Anschlusswiderstand der Bodenelektrode reduziert.
(EN)For a BAW resonator, it is proposed that a metallic layer (HS1, HS2) of the Bragg reflector (DS, HS1, NS, HS2) used as an acoustic mirror be used to improve the effective conductivity of the bottom electrode. For this purpose, an electrical contact between the bottom electrode (BE) and the upper high-impedance layer (HS1) of the acoustic mirror is established in a connection area (VB), and the connection resistance of the bottom electrode is reduced in the process.
(FR)L'invention concerne un résonateur à ondes acoustiques de volume (BAW) caractérisé en ce qu'on utilise une couche métallique (HS1, HS2) du réflecteur de Bragg (DS, HS1, NS, HS2) utilisé comme miroir acoustique, en vue d'améliorer la conductivité effective de l'électrode de masse. A cet effet, on produit dans une zone de connexion (VB), un contact électrique entre l'électrode de masse (BE) et la couche supérieure à haute impédance (HS1) du miroir acoustique, la résistance de raccordement de l'électrode de masse étant ainsi réduite.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: German (DE)
Filing Language: German (DE)