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1. (WO2010120792) METHOD AND APPARATUS FOR SUPER-HIGH RATE DEPOSITION
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2010/120792    International Application No.:    PCT/US2010/030908
Publication Date: 21.10.2010 International Filing Date: 13.04.2010
IPC:
C23C 14/35 (2006.01), C23C 14/14 (2006.01)
Applicants: THE REGENTS OF THE UNIVERSITY OF CALIFORNIA [US/US]; 1111 Franklin Street, 12th Floor Oakland, CA 94607-5200 (US) (For All Designated States Except US).
ANDERS, Andre [US/US]; (US) (For US Only)
Inventors: ANDERS, Andre; (US)
Agent: EDELMAN, Lawrence; Ernest Orlando Lawrence Berkeley National Laboratory Technology Tranfer And Intellectual Property Management One Cyclotron Road, MS 56A-120 Berkeley, CA 94720 (US)
Priority Data:
61/226,055 16.07.2009 US
61/170,374 17.04.2009 US
Title (EN) METHOD AND APPARATUS FOR SUPER-HIGH RATE DEPOSITION
(FR) PROCÉDÉ ET APPAREIL POUR DÉPÔT À VITESSE TRÈS ÉLEVÉE
Abstract: front page image
(EN)A very high deposition rate magnetron sputtering wherein the surface of a target and the race track zone area of the target, in one embodiment may be heated to such a degree of tilt the target material approaches the melting point and sublimation sets in. Controlled heating Is achieved primarily through the monitoring of the temperature of the target material and with the aid of a processor subsequently controlling the target temperature by adjustment of the power being Inputted to the target. This controlled heating to the sublimation point is effecting in high deposition rate metal coating of parts when used in conjunction with high power impulse magnetron sputtering deposition. The apparatus includes a thermocouple, which is electronically connected to a microcomputer programmed to control the power of the pulse to the target, and the duty cycle of the power pulses to regulate the temperature of the system.
(FR)L'invention porte sur une pulvérisation magnétron à vitesse de dépôt très élevée, dans laquelle la surface d'une cible et la région de zone circulaire de la cible, selon un mode de réalisation, peuvent être chauffées dans une mesure qu'un degré d'inclinaison du matériau cible approche le point de fusion et une sublimation s'établit. Un chauffage commandé est obtenu premièrement par la surveillance de la température du matériau cible et à l'aide d'un processeur commandant par la suite la température cible par réglage de la puissance qui est délivrée en entrée de la cible. Ce chauffage commandé jusqu'au point de sublimation est effectué dans un revêtement métallique à vitesse de dépôt élevée de pièces lorsqu'il est utilisé conjointement avec un dépôt par pulvérisation magnétron à impulsion haute puissance. L'appareil comprend un thermocouple, qui est relié électroniquement à un micro-ordinateur programmé pour commander la puissance de l'impulsion sur la cible, et le cycle de service des impulsions de puissance pour réguler la température du système.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)