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1. (WO2010120372) LIGHT EMITTING SEMICONDUCTOR METHODS AND DEVICES
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2010/120372    International Application No.:    PCT/US2010/001133
Publication Date: 21.10.2010 International Filing Date: 16.04.2010
IPC:
H01S 3/0941 (2006.01), H01S 3/00 (2006.01)
Applicants: THE BOARD OF TRUSTEES OF THE UNIVERSITY OF ILLINOIS [US/US]; 506 South Wright Street Urbana, IL 61081 (US) (For All Designated States Except US).
QUANTUM ELECTRO OPTO SYSTEMS SDN. BHD. [MY/MY]; Melaka Media House Mitc City, 75450 Ayer Keroh, Melaka (MY) (For All Designated States Except US).
WALTER, Gabriel [MY/US]; (US) (For US Only).
FENG, Milton [US/US]; (US) (For US Only).
HOLONYAK, Nick [US/US]; (US) (For US Only).
THEN, Han, Wui [MY/MY]; (US) (For US Only).
WU, Chao-hsin [--/US]; (US) (For US Only)
Inventors: WALTER, Gabriel; (US).
FENG, Milton; (US).
HOLONYAK, Nick; (US).
THEN, Han, Wui; (US).
WU, Chao-hsin; (US)
Agent: NOVACK, Martin; 16355 Vintage Oaks Lane Delray Beach, FL 33484 (US)
Priority Data:
61/268,119 09.06.2009 US
61/212,951 17.04.2009 US
Title (EN) LIGHT EMITTING SEMICONDUCTOR METHODS AND DEVICES
(FR) PROCÉDÉS ET DISPOSITIFS SEMI-CONDUCTEURS ÉLECTROLUMINESCENTS
Abstract: front page image
(EN)A method for producing light emission from a two terminal semiconductor device with improved efficiency, includes the following steps: providing a layered semiconductor structure including a semiconductor drain region comprising at least one drain layer, a semiconductor base region disposed on the drain region and including at least one base layer, and a semiconductor emitter region disposed on a portion of the base region and comprising an emitter mesa that includes at least one emitter layer; providing, in the base region, at least one region exhibiting quantum size effects; providing a base/drain electrode having a first portion on an exposed surface of the base region and a further portion coupled with the drain region, and providing an emitter electrode on the surface of the emitter region; applying signals with respect to the base/drain and emitter electrodes to obtain light emission from the base region; and configuring the base/drain and emitter electrodes for substantial uniformity of voltage distribution in the region therebetween. In a further embodiment lateral scaling is used to control device speed for high frequency operation.
(FR)L'invention concerne un procédé de production d'émission de lumière à partir d'un dispositif semi-conducteur à deux bornes avec une efficacité améliorée comprend les étapes suivantes : l'utilisation d'une structure semi-conductrice en couches comprenant une région de drain semi-conducteur comprenant au moins une couche de drain, une région de base semi-conductrice disposée sur la région de drain et comprenant au moins une couche de base, et une région d'émetteur semi-conducteur disposée sur une partie de la région de base et comprenant un mésa émetteur qui comprend au moins une couche d'émetteur; la disposition, dans la région de base, d'au moins une région présentant des effets de taille quantiques; la disposition d'une électrode base/drain ayant une première partie d'une surface exposée de la région de base et une partie supplémentaire couplées à la région de drain, et la disposition d'une électrode émettrice sur la surface de la région d'émetteur; l'application de signaux par rapport aux électrodes base/drain et émettrice afin d'obtenir une émission de lumière à partir de la région base; et la configuration des électrodes base/drain et émettrice pour une uniformité importante de la répartition de tension dans la région située entre elles. Dans un autre mode de réalisation, une graduation latérale est utilisée pour commander la vitesse du dispositif pour un fonctionnement haute fréquence.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)