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1. (WO2010119753) PHOTORESIST REMOVER COMPOSITION AND METHOD FOR REMOVING PHOTORESIST
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2010/119753    International Application No.:    PCT/JP2010/055034
Publication Date: 21.10.2010 International Filing Date: 24.03.2010
IPC:
G03F 7/42 (2006.01), H01L 21/027 (2006.01)
Applicants: NAGASE CHEMTEX CORPORATION [JP/JP]; 1-17, Shinmachi 1-chome, Nishi-ku, Osaka-shi, Osaka 5508668 (JP) (For All Designated States Except US).
YASUE, Hidekuni [JP/JP]; (JP) (For US Only)
Inventors: YASUE, Hidekuni; (JP)
Agent: FURUTANI, Shinya; FURUTANI NAIGAI TOKKYO JIMUSHO, 1-27, Dojima 2-chome, Kita-ku, Osaka 5300003 (JP)
Priority Data:
2009-100579 17.04.2009 JP
Title (EN) PHOTORESIST REMOVER COMPOSITION AND METHOD FOR REMOVING PHOTORESIST
(FR) COMPOSITION DÉCAPANTE DE PHOTORÉSINE ET PROCÉDÉ DE DÉCAPAGE D'UNE PHOTORÉSINE
(JA) フォトレジスト剥離剤組成物及びフォトレジスト剥離方法
Abstract: front page image
(EN)Disclosed is a photoresist remover composition which does not contain a benzotriazole compound and a thiol group-containing compound, and is capable of removing a resist without eroding copper or copper alloy wiring lines during a step for forming copper or copper alloy wiring lines for a semiconductor substrate or an FPD substrate. Also disclosed is a method for removing a photoresist, wherein the photoresist remover composition is used. The photoresist remover composition contains an alkanol amine in an amount of 1-50% by weight, a water-soluble organic solvent in an amount of 10-88.998% by weight and water in an amount of 10-88.998% by weight, with the total of the water-soluble organic solvent and water being 49.998-98.998% by weight. The photoresist remover composition also contains cytosine and/or creatinine as an anti-corrosive agent for copper or copper alloys in an amount of 0.002-1.0% by weight.
(FR)La présente invention concerne une composition décapante de photorésine qui ne contient ni benzotriazole ni un composé à base de thiol, et qui permet d'enlever une résine sans éroder les lignes de câblage de cuivre ou d'alliage de cuivre, lors d'une étape de formation de lignes de câblage de cuivre ou d'alliage de cuivre pour un substrat semi-conducteur ou un substrat FPD. L'invention porte en outre sur un procédé de décapage d'une photorésine qui fait intervenir ladite composition décapante de photorésine. Cette composition décapante de photorésine contient une alkanolamine dans des proportions comprises entre 1 et 50 % en poids, un solvant organique hydrosoluble dans des proportions comprises entre 10 et 88,998 % en poids, et de l'eau dans des proportions comprises entre 10 et 88,998 % en poids, le total du solvant organique soluble dans l'eau et de l'eau étant compris entre 49,998 et 98,998 % en poids. La composition décapante de photorésine contient également de la cytosine et/ou de la créatinine en tant qu'agents anticorrosifs pour du cuivre ou des alliages de cuivre dans des proportions comprises entre 0,002 et 1,0 % en poids.
(JA) 半導体基板及びFPD基板の銅又は銅合金配線製造工程において、ベンゾトリアゾール類及びチオール基含有化合物を含有せず、銅又は銅合金配線を腐食せずレジストを剥離できるフォトレジスト剥離剤組成物、それを使用したフォトレジスト剥離方法を提供する。本発明のフォトレジスト剥離剤組成物は、アルカノールアミンの含有量が1~50重量%であり、水溶性有機溶剤の含有量が10~88.998重量%であって、水の含有量が10~88.998重量%であって、かつ、水溶性有機溶剤と水との合計含有量が49.998~98.998重量%であり、銅又は銅合金の防食剤としてのシトシン及び/又はクレアチニンの含有量が0.002~1.0重量%である。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)