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1. (WO2010119666) METHOD FOR MEASURING ELECTRICAL CHARACTERISTICS OF SEMICONDUCTOR SUBSTRATE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2010/119666    International Application No.:    PCT/JP2010/002659
Publication Date: 21.10.2010 International Filing Date: 13.04.2010
IPC:
H01L 21/66 (2006.01), G01N 27/00 (2006.01)
Applicants: SUMITOMO CHEMICAL COMPANY, LIMITED [JP/JP]; 27-1, Shinkawa 2-chome, Chuo-ku, Tokyo 1048260 (JP) (For All Designated States Except US).
FUKUHARA, Noboru [JP/JP]; (JP) (For US Only).
HATA, Masahiko [JP/JP]; (JP) (For US Only)
Inventors: FUKUHARA, Noboru; (JP).
HATA, Masahiko; (JP)
Agent: RYUKA IP Law Firm; 22F, Shinjuku L Tower, 6-1, Nishi-Shinjuku 1-chome, Shinjuku-ku, Tokyo 1631522 (JP)
Priority Data:
2009-099406 15.04.2009 JP
Title (EN) METHOD FOR MEASURING ELECTRICAL CHARACTERISTICS OF SEMICONDUCTOR SUBSTRATE
(FR) PROCÉDÉ DE MESURE DES CARACTÉRISTIQUES ÉLECTRIQUES D'UN SUBSTRAT SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 半導体基板の電気的特性の測定方法
Abstract: front page image
(EN)Provided is a method for measuring a leak current or a dielectric breakdown voltage due to transfer of holes or electrons in a semiconductor substrate which includes a base substrate and a buffer layer, specifically, a method for measuring a leak current or a dielectric breakdown voltage in a semiconductor substrate having a base substrate and a buffer layer provided on the base substrate. The method is provided with: a step of providing the buffer layer with a plurality of electrodes, including a hole injection electrode composed of a material which injects holes to the buffer layer when an electrical field is applied; a step of measuring a current flowing in a pair of first electrodes, which are selected from among the electrodes and include at least one hole injection electrode, and a voltage between the pair of first electrodes, in the case where a voltage or a current is applied to the pair of first electrodes; and a step of measuring a leak current or a dielectric breakdown voltage due to the hole transfer in the semiconductor substrate, based on the current flowing in the pair of first electrodes and the voltage between the pair of first electrodes.
(FR)L'invention porte sur un procédé de mesure du courant de fuite ou de la tension de claquage diélectrique due à un transfert de trous ou d'électrons dans un substrat semi-conducteur qui comprend un substrat de base et une couche tampon. L'invention porte de manière spécifique sur un procédé de mesure du courant de fuite ou de la tension de claquage diélectrique dans un substrat semi-conducteur ayant un substrat de base et une couche tampon disposée sur le substrat de base. Le procédé comporte : une étape consistant à doter la couche tampon d'une pluralité d'électrodes, comprenant une électrode d'injection de trous composée d'un matériau qui injecte des trous sur la couche tampon lorsqu'un champ électrique est appliqué; une étape de mesure du courant circulant dans une paire de premières électrodes, qui sont sélectionnées à partir des électrodes et comprennent au moins une électrode d'injection de trous, et de la tension entre la paire de premières électrodes, dans le cas où une tension ou un courant est appliqué à la paire de premières électrodes; et une étape de mesure du courant de fuite ou de la tension de claquage diélectrique due à un transfert de trous dans le substrat semi-conducteur, sur la base du courant circulant dans la paire de premières électrodes et de la tension entre la paire de premières électrodes.
(JA) ベース基板およびバッファ層を含む半導体基板における正孔または電子の移動による漏洩電流または絶縁破壊電圧の測定方法を提供する。具体的には、ベース基板と、ベース基板上に設けられたバッファ層とを有する半導体基板における漏洩電流または絶縁破壊電圧の測定方法であって、バッファ層に、電界が印加されるとバッファ層に正孔を注入する材料からなる正孔注入電極を含む複数の電極を設ける段階と、複数の電極から選択した、少なくとも一つの正孔注入電極を含む第1の一対の電極に電圧または電流を印加した場合における、第1の一対の電極を流れる電流および第1の一対の電極間の電圧を測定する段階と、第1の一対の電極を流れる電流および第1の一対の電極間の電圧に基づいて、半導体基板における正孔の移動による漏洩電流または絶縁破壊電圧を測定する段階とを備える測定方法を提供する。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)