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1. (WO2010119653) SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF PRODUCING SAME
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2010/119653    International Application No.:    PCT/JP2010/002605
Publication Date: 21.10.2010 International Filing Date: 09.04.2010
Chapter 2 Demand Filed:    14.02.2011    
IPC:
H01L 27/06 (2006.01), H01L 21/822 (2006.01), H01L 21/8234 (2006.01), H01L 27/04 (2006.01), H01L 27/088 (2006.01), H01L 29/78 (2006.01)
Applicants: PANASONIC CORPORATION [JP/JP]; 1006, Oaza Kadoma, Kadoma-shi, Osaka 5718501 (JP) (For All Designated States Except US).
IZUTSU, Yasufumi; (For US Only).
SAWADA, Kazuyuki; (For US Only).
HARADA, Yuji; (For US Only)
Inventors: IZUTSU, Yasufumi; .
SAWADA, Kazuyuki; .
HARADA, Yuji;
Agent: NII, Hiromori; c/o NII Patent Firm, 6F, Tanaka Ito Pia Shin-Osaka Bldg.,3-10, Nishi Nakajima 5-chome, Yodogawa-ku, Osaka-city, Osaka 5320011 (JP)
Priority Data:
2009-099378 15.04.2009 JP
Title (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF PRODUCING SAME
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEURS ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(JA) 半導体装置及びその製造方法
Abstract: front page image
(EN)A semiconductor device (1) provided with a P-type Si substrate (101), ESD protection element (1A), and protected element (1B). The ESD protection element (1A) is provided with a source N-type diffusion region (107A) and a high concentration P-type diffusion region (103). The high concentration P-type diffusion region (103) covers the bottom of the source N-type diffusion region (107A), is formed from below the source N-type diffusion region (107A) to below the gate electrode (106A), and has a higher P-type impurity concentration than the base region of the P-type Si substrate (101). The protected element (1B) is provided with a drain N-type diffusion region (108B) and a low concentration P-type diffusion region (104) which is contiguous to the drain N-type diffusion region (108B). The drain electrode (112A) of the ESD protection element (1A) and the drain electrode (112B) of the protected element (1B) are connected, and the high concentration P-type diffusion region (103) has a higher P-type impurity concentration than the low concentration P-type diffusion region (104).
(FR)L'invention porte sur un dispositif à semi-conducteurs (1) qui comporte un substrat Si de type P (101), un élément de protection contre les décharges électrostatiques (ESD) (1A) et un élément protégé (1B). L'élément de protection contre les ESD (1A) comporte une région de diffusion de type N de source (107A) et une région de diffusion de type P à concentration élevée (103). La région de diffusion de type P à concentration élevée (103) recouvre la partie inférieure de la région de diffusion de type N de source (107A), est formée à partir du dessous de la région de diffusion de type N de source (107A) vers le dessous de l'électrode de grille (106A), et a une concentration en impuretés de type P supérieure à celle de la région de base du substrat Si de type P (101). L'élément protégé (1B) comporte une région de diffusion de type N de drain (108B) et une région de diffusion de type P à concentration faible (104) qui est contigüe à la région de diffusion de type N de drain (108B). L'électrode de drain (112A) de l'élément de protection contre les ESD (1A) et l'électrode de drain (112B) de l'élément protégé (1B) sont connectées et la région de diffusion de type P à concentration élevée (103) a une concentration en impuretés de type P supérieure à celle de la région de diffusion de type P à faible concentration (104).
(JA) P型Si基板(101)と、ESD保護素子(1A)と、被保護素子(1B)とを備えた半導体装置(1)であって、ESD保護素子(1A)は、ソースN型拡散領域(107A)と、ソースN型拡散領域(107A)を覆いソースN型拡散領域(107A)の下方からゲート電極(106A)の下方まで形成されP型Si基板(101)の基本領域よりもP型不純物濃度が高い高濃度P型拡散領域(103)とを備え、被保護素子(1B)は、ドレインN型拡散領域(108B)と、ドレインN型拡散領域(108B)と接する低濃度P型拡散領域(104)とを備え、ESD保護素子(1A)のドレイン電極(112A)と被保護素子(1B)のドレイン電極(112B)とは接続され、高濃度P型拡散領域(103)は、低濃度P型拡散領域(104)よりもP型不純物濃度が高い。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)