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1. (WO2010119241) STRAIN CONTROL IN SEMICONDUCTOR DEVICES
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.: WO/2010/119241 International Application No.: PCT/GB2010/000737
Publication Date: 21.10.2010 International Filing Date: 12.04.2010
IPC:
H01L 29/205 (2006.01) ,H01L 29/778 (2006.01)
Applicants: WALLIS, David, John[GB/GB]; GB (UsOnly)
QINETIQ LIMITED[GB/GB]; Cody Technology Park Ively Road Farnborough Hampshire GU14 0LX, GB (AllExceptUS)
Inventors: WALLIS, David, John; GB
Agent: HUMPHREYS, Elizabeth, J.; QinetiQ Limited Intellectual Property Malvern Technology Centre St Andrews Road, Malvern Worcestershire WR14 3PS, GB
Priority Data:
0906331.414.04.2009GB
Title (EN) STRAIN CONTROL IN SEMICONDUCTOR DEVICES
(FR) MAÎTRISE DES CONTRAINTES DANS DES DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS
Abstract: front page image
(EN) A semiconductor device comprises the following elements: an active layer (1 ) comprising a quantum well structure and a buffer layer (4) beneath the active layer adapted to form a confinement layer for charge carriers in the active layer. The buffer layer (4) is adapted so as not to increase an overall strain in the active layer (1). The active layer (1) is already strained as a result of a lattice mismatch between the active layer and the buffer layer (4). Strain in the buffer layer (4) may be controlled by use of a strain control buffer layer (41) and by appropriate choices of material and composition for the buffer layer and for a substrate (3) on which the buffer layer is grown.
(FR) L'invention porte sur un dispositif à semi-conducteurs qui comprend les éléments suivants : une couche active (1) comprenant une structure de puits quantique et une couche tampon (4) au-dessous de la couche active conçue pour former une couche de confinement pour des porteurs de charge dans la couche active. La couche tampon (4) est conçue pour ne pas augmenter une contrainte globale dans la couche active (1). La couche active (1) est déjà contrainte en résultat d'une inégalité des paramètres de maille entre la couche active et la couche tampon (4). Une contrainte dans la couche tampon (4) peut être maîtrisée à l'aide d'une couche tampon de maîtrise des contraintes (41) et par des choix appropriés de matériau et de composition pour la couche tampon et pour un substrat (3) sur lequel la couche tampon est développée.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
African Regional Intellectual Property Organization (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Office (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)