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1. (WO2010119124) ORGANIC NON-VOLATILE MEMORY DEVICE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.: WO/2010/119124 International Application No.: PCT/EP2010/055047
Publication Date: 21.10.2010 International Filing Date: 16.04.2010
IPC:
G11C 13/02 (2006.01)
G PHYSICS
11
INFORMATION STORAGE
C
STATIC STORES
13
Digital stores characterised by the use of storage elements not covered by groups G11C11/, G11C23/, or G11C25/173
02
using elements whose operation depends upon chemical change
Applicants:
DEBUCQUOY, Maarten [BE/BE]; BE (UsOnly)
ROCKELE, Maarten [BE/BE]; BE (UsOnly)
GENOE, Jan [BE/BE]; BE (UsOnly)
GELINCK, Gerwin [NL/NL]; NL (UsOnly)
HEREMANS, Paul [BE/BE]; BE (UsOnly)
IMEC [BE/BE]; Kapeldreef 75 B-3001 Leuven, BE (AllExceptUS)
KATHOLIEKE UNIVERSITEIT LEUVEN, K.U. LEUVEN R&D [BE/BE]; Minderbroedersstraat 8A, bus 5105 B-3000 Leuven, BE (AllExceptUS)
Inventors:
DEBUCQUOY, Maarten; BE
ROCKELE, Maarten; BE
GENOE, Jan; BE
GELINCK, Gerwin; NL
HEREMANS, Paul; BE
Agent:
BIRD, Ariane; Klein Dalenstraat 42A B-3020 Winksele, BE
Priority Data:
61/169,94816.04.2009US
Title (EN) ORGANIC NON-VOLATILE MEMORY DEVICE
(FR) DISPOSITIF À MÉMOIRE RÉMANENTE ORGANIQUE
Abstract:
(EN) The invention relates to an organic memory element comprising an organic semiconductor material, a gate dielectric stack comprising a first dielectric layer acting as a barrier layer and a second dielectric layer of an organic material, and a gate electrode. The gate electrode is separated from the second dielectric layer through the barrier layer. For programming charge carriers are injected into the second dielectric layer by application of a programming pulse of a first voltage to the gate electrode to cause a shift of the threshold voltage. For erasing, an erasing pulse of a second voltage with opposite polarity to the first voltage is applied to the gate electrode to cause an opposite shift of the transistor threshold voltage to the OFF state threshold voltage. The organic semiconductor material is an ambipolar organic semiconductor material.
(FR) Cette invention concerne un élément de mémoire organique comprenant un matériau semi-conducteur organique, un empilement diélectrique de grille qui comprend une première couche diélectrique agissant comme couche barrière et une seconde couche diélectrique faite d'un matériau diélectrique, et une électrode de grille. Cette électrode de grille est séparée de la seconde couche diélectrique par la couche barrière. Pour la programmation, des porteurs de charge sont injectés dans la seconde couche diélectrique par l'application d'une impulsion de programmation d'une première tension sur l'électrode de grille, ce qui provoque un décalage de la tension de seuil. Pour l'effacement, on applique une impulsion d'effacement d'une seconde tension de polarité opposée à celle de la première tension à l'électrode de grille de manière à provoquer un décalage opposé de la tension de seuil des transistors vers la tension de seuil correspondant à l'état d'arrêt (OFF). Le matériau semi-conducteur organique est un matériau semi-conducteur organique ambipolaire.
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Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
African Regional Intellectual Property Organization (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
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African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)