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1. (WO2010117807) TWO PASS ERASE FOR NON-VOLATILE STORAGE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2010/117807    International Application No.:    PCT/US2010/029246
Publication Date: 14.10.2010 International Filing Date: 30.03.2010
IPC:
G11C 16/16 (2006.01)
Applicants: SANDISK TECHNOLOGIES, INC. [US/US]; Two Legacy Town Center 6900 North Dallas Parkway Plano, Texas 75024 (US) (For All Designated States Except US).
LEE, Dana [US/US]; (US) (For US Only).
MOKHLESI, Nima [US/US]; (US) (For US Only).
KHANDEL WAL, Anubhav [IN/IN]; (US) (For US Only)
Inventors: LEE, Dana; (US).
MOKHLESI, Nima; (US).
KHANDEL WAL, Anubhav; (US)
Agent: MAGEN, Burt; Vierra Magen Marcus & DeNiro, LLP 575 Market Street, Suite 2500 San Francisco, CA 94105 (US)
Priority Data:
12/421,098 09.04.2009 US
Title (EN) TWO PASS ERASE FOR NON-VOLATILE STORAGE
(FR) EFFACEMENT À DEUX PASSES DESTINÉ À UN STOCKAGE NON VOLATIL
Abstract: front page image
(EN)Techniques are disclosed herein for erasing non-volatile memory cells. The memory cells are erased using a trial erase pulse. A suitable magnitude for a second pulse is determined based on the magnitude of the trial erase pulse and data collected about the threshold voltage distribution after the trial erase. The second erase pulse is used to erase the memory cells. In one implementation, the threshold voltages of the memory cells are not verified after the second erase. Soft programming after the second erase may be performed. The magnitude of the soft programming pulse may be determined based on the trial erase pulse. In one implementation, the memory cells' threshold voltages are not verified after the soft programming. Limiting the number of erase pulses and soft programming pulses saves time and power. Determining an appropriate magnitude for the second erase pulse minimizes or eliminates over-erasing.
(FR)La présente invention concerne des techniques servant à effacer les cellules d'une mémoire non volatile. Les cellules de la mémoire sont effacées en utilisant une impulsion d'effacement d'essai. Une amplitude appropriée pour une seconde impulsion est déterminée sur la base de l'amplitude de l'impulsion d'effacement d'essai et des données collectées concernant la distribution de la tension de seuil après l'effacement d'essai. La seconde impulsion d'effacement est utilisée pour effacer les cellules de la mémoire. Dans une mise en œuvre, les tensions de seuil des cellules de la mémoire ne sont pas vérifiées après le second effacement. Une programmation sur mesure peut être réalisée après le second effacement. L'amplitude de l'impulsion de la programmation sur mesure peut être déterminée sur la base de l'impulsion d'effacement d'essai. Dans une mise en œuvre, les tensions de seuil des cellules de la mémoire ne sont pas vérifiées après la programmation sur mesure. Limiter le nombre d'impulsions d'effacement et d'impulsions de programmation sur mesure économise du temps et l'énergie. Déterminer une amplitude appropriée pour la seconde impulsion d'effacement réduit ou élimine le sur-effacement.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)